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100V/12mΩ/60A N-MOSFET DSD150N10L3 TO-252B

ये एन-चैनल उन्नत वीडीएमओएसफ़ेट्स, स्व-संरेखित प्लानर तकनीक द्वारा प्राप्त किए जाते हैं जो चालन हानि को कम करते हैं, स्विचिंग
प्रदर्शन में सुधार करते हैं और हिमस्खलन ऊर्जा को बढ़ाते हैं। जो RoHS मानक के अनुरूप है.
उपलब्धता:
मात्रा:

100V/12mΩ/60A N-MOSFET


1 विवरण 

ये एन-चैनल उन्नत वीडीएमओएसफ़ेट्स, स्व-संरेखित प्लानर तकनीक द्वारा प्राप्त किए जाते हैं जो चालन हानि को कम करते हैं, स्विचिंग प्रदर्शन में सुधार करते हैं और हिमस्खलन ऊर्जा को बढ़ाते हैं। जो RoHS मानक के अनुरूप है.

2.विशेषता

● प्रतिरोध पर कम (Rdson≤1.4Ω)

● कम रिवर्स ट्रांसफर कैपेसिटेंस (प्रकार: 5.5pF) 

● 100% एकल पल्स हिमस्खलन ऊर्जा परीक्षण 

● 100% ΔVDS परीक्षण 

  • पीबी-मुक्त प्लेटिंग / हैलोजन-मुक्त / RoHS अनुरूप


3 अनुप्रयोग 

• मोटर नियंत्रण और ड्राइव 

• बैटरी प्रबंधन प्रणाली के लिए चार्ज/डिस्चार्ज

• एसएमपीएस के लिए सिंक्रोनस रेक्टिफायर


वीडीएसएस आरडीएस(चालू)(टीवाईपी) पहचान
100V 12mΩ 60ए


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