ворота
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Вы здесь: Дом » Продукция » » МОСФЕТ » 12 В-300В N MOS » 170a 100 В.

загрузка

Поделиться с:
Кнопка обмена Facebook
Кнопка обмена Twitter
Кнопка обмена строками
Кнопка обмена WeChat
Кнопка совместного использования LinkedIn
Pinterest кнопка совместного использования
Кнопка обмена WhatsApp
Кнопка обмена Sharethis

170a 100 В n-канальный режим улучшения мощности Mosfet DSE028N10N3 до-263

В этом N-канальном режиме режима режима мощности использовались современные технологии технологии Trench Trench Splite, обеспечивающие отличный RDSON и низкий заряд. Который согласуется со
стандартом ROHS.
Доступность:
количество:

170A 100 В n-канальный режим улучшения режима мощности


1 Описание 

В этом n-канальном режиме режима режима мощности использовались современные технологии технологии траншеи Splite Gate, обеспечивая отличную зарядку RDSON и низкие затворы. Который согласуется со стандартом ROHS. 


2 функции 

● Быстрое переключение 

● Низкое сопротивление 

● Зарядки с низким затвором 

● Высокий лавинный ток 

● Низкие емкости обратного переноса

● 100% тест на электроэнергию с одним импульсной лавиной

● Тест 100% ΔVDS 


3 приложения

● Синхронное исправление в SMPS

● Твердое переключение и высокоскоростная цепь 

● Электроинструменты

● UPS 

● Мотор управление

VDSS RDS (ON) (тип) ИДЕНТИФИКАТОР
100 В 2,4 МОм 170a


Предыдущий: 
Следующий: 
  • Зарегистрируйтесь в нашей бюллетене
  • Будьте готовы к будущему,
    подпишитесь на нашу новостную рассылку, чтобы получить обновления прямо в ваш почтовый ящик