Disponueshmëria: | |
---|---|
Sasia: | |
Dse028n10n3
WXDH
TO-263
100V
170A
170A 100V N-Channel Enhancimment Mode MODE MOSFET
1 Përshkrimi
Kjo modaliteti i përmirësimit të kanalit N-MOSFET MOSFET përdoren dizajn të përparuar të teknologjisë së llogoreve të Splite Gate, të siguruara RDSON të shkëlqyera dhe ngarkesë të ulët të portës. Që përputhet me standardin ROHS.
2 tipare
● Kalimi i shpejtë
● Rezistencë e ulët
Ngarkesa e ulët e portës së ulët
Act Rryma e Lartë e Avalancës
Cap Kapacitete të ulëta të transferimit të kundërt
Test 100% Pulse Pulse Test i Energjisë së Avalanche
Test 100% ΔVDS
3 aplikime
Rectiffication Rekomandim sinkron në SMPS
Comwnders Ndërrimi i fortë dhe qark me shpejtësi të lartë
● Mjetet e energjisë
● UPS
● Kontrolli i motorit
VDSS | Rds (on) (tip) | Edhull |
100V | 2.4mΩ | 170A |
170A 100V N-Channel Enhancimment Mode MODE MOSFET
1 Përshkrimi
Kjo modaliteti i përmirësimit të kanalit N-MOSFET MOSFET përdoren dizajn të përparuar të teknologjisë së llogoreve të Splite Gate, të siguruara RDSON të shkëlqyera dhe ngarkesë të ulët të portës. Që përputhet me standardin ROHS.
2 tipare
● Kalimi i shpejtë
● Rezistencë e ulët
Ngarkesa e ulët e portës së ulët
Act Rryma e Lartë e Avalancës
Cap Kapacitete të ulëta të transferimit të kundërt
Test 100% Pulse Pulse Test i Energjisë së Avalanche
Test 100% ΔVDS
3 aplikime
Rectiffication Rekomandim sinkron në SMPS
Comwnders Ndërrimi i fortë dhe qark me shpejtësi të lartë
● Mjetet e energjisë
● UPS
● Kontrolli i motorit
VDSS | Rds (on) (tip) | Edhull |
100V | 2.4mΩ | 170A |