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Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
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170A 100V N-canal Modo de mejora de potencia MOSFET DSE028N10N3 TO-263

Estos Mosfets de potencia de potencia de modo de mejora del canal N utilizaron un diseño de tecnología de trinchera de compuerta de espíritu avanzada, proporcionó una excelente carga de Rdson y baja puerta. Que concuerda con
el estándar ROHS.
Disponibilidad:
Cantidad:

170A 100V MOSFET MODO MODILLO DE MEDIA DEL CANNO


1 descripción 

Este modo de mejora de canal N de potencia MOSFETS utilizó un diseño de tecnología de trinchera de compuerta de espíritu avanzada, proporcionó una excelente carga de Rdson y baja puerta. Que concuerda con el estándar ROHS. 


2 características 

● Cambio rápido 

● Bajo en resistencia 

● carga de puerta baja 

● Corriente de alta avalancha 

● Capacitancias de transferencia inversa bajas

● Prueba de energía de avalancha de pulso 100% 100%

● Prueba de 100% ΔVDS 


3 aplicaciones

● Rectificación sincrónica en SMPS

● Circuito de conmutación dura y alta velocidad 

● Herramientas eléctricas

● UPS 

● Control de motor

VDSS RDS (ON) (typ) IDENTIFICACIÓN
100V 2.4mΩ 170A


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