未命名 (1) (8) (1)
Tor
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd.
Sie sind hier: Heim »» Produkte » Mosfet » 12V-300V n Mos »» 170a 100V N-Kanal-Verbesserungsmodus Power MOSFET DSE028N10N3 TO-263

Laden

Teilen an:
Facebook Sharing Button
Twitter Sharing -Schaltfläche
Leitungsfreigabe -Taste
Wechat Sharing -Taste
LinkedIn Sharing -Taste
Pinterest Sharing -Taste
WhatsApp Sharing -Taste
Sharethis Sharing Button

170A 100V N-Kanalverbesserungsmodus MOSFET DSE028N10N3 TO-263

Diese N-Channel-Verbesserungsmodus-MOSFETs verwendeten fortschrittliche Splite-Gate-Graben-Technologie-Design und bildeten eine hervorragende RDSON- und niedrige Gate-Ladung. Das entspricht
dem ROHS -Standard.
Verfügbarkeit:
Menge:
Erkundigen Zum Korb geben

170a 100V N-Kanalverbesserungsmodus Power MOSFET


1 Beschreibung 

In diesem N-Channel-Verbesserungsmodus wurden MOSFETs mit dem fortschrittlichen Splite-Gate-Graben-Technologie-Design ein ausgezeichnetes RDSON und niedrige Gate-Ladung dargestellt. Das entspricht dem ROHS -Standard. 


2 Merkmale 

● schnelles Umschalten 

● Niedrig des Widerstands 

● Ladung mit niedriger Gate 

● hoher Lawinenstrom 

● Niedrige Umkehrtransferkapazität

● 100% Einzelpuls -Avalanche -Energietest

● 100% ΔVDS -Test 


3 Anwendungen

● Synchrone Korrektur in SMPs

● Hartschalter und Hochgeschwindigkeitskreislauf 

● Elektrowerkzeuge

● ups 

● Motorsteuerung

VDSS RDS (ON) (Typ) AUSWEIS
100V 2,4 mΩ 170a


Vorherige: 
Nächste: 
Mosfet
  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd.
  • Melden Sie sich für unseren Newsletter an
  • Sie sich bereit für die Zukunft
    Machen
    Einreichen
Copyright © 2023Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Technology von Leadong.com