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170A 100V N-Kanalverbesserungsmodus MOSFET DSE028N10N3 TO-263

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170A 100V N-Kanalverbesserungsmodus MOSFET DSE028N10N3 TO-263

Diese N-Channel-Verbesserungsmodus-MOSFETs verwendeten fortschrittliche Splite-Gate-Graben-Technologie-Design und bildeten eine hervorragende RDSON- und niedrige Gate-Ladung. Das entspricht
dem ROHS -Standard.

Verfügbarkeit:

Menge:



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Modell:
DSE028N10N3
Marke:
Wxdh
Paket:
To-263
Datenblatt:
Donghai_dsg030n10n3 & dse028n10n3_datasheet_v1.0.pdf
V:
100V
A:
170a

Produktbeschreibung

170a 100V N-Kanalverbesserungsmodus Power MOSFET

1 Beschreibung

In diesem N-Channel-Verbesserungsmodus wurden MOSFETs mit dem fortschrittlichen Splite-Gate-Graben-Technologie-Design ein ausgezeichnetes RDSON und niedrige Gate-Ladung dargestellt. Das entspricht dem ROHS -Standard.

2 Merkmale

● schnelles Umschalten

● Niedrig des Widerstands

● Ladung mit niedriger Gate

● hoher Lawinenstrom

● Niedrige Umkehrtransferkapazität

● 100% Einzelpuls -Avalanche -Energietest

● 100% ΔVDS -Test

3 Anwendungen

● Synchrone Korrektur in SMPs

● Hartschalter und Hochgeschwindigkeitskreislauf

● Elektrowerkzeuge

● ups

● Motorsteuerung

VDSS	RDS (ON) (Typ)	AUSWEIS
100V	2,4 mΩ	170a

Mosfet