Sa oled siin: Kodu » Tooted » » Mosfet » 12V-300V N MOS » 170A 100v N-kanali parendamise režiim Power Mosfet DSE028N10N3 TO-263

170A 100 V N-kanali parendamisrežiim MOSFET DSE028N10N3 TO-263

Jagage:

170A 100 V N-kanali parendamisrežiim MOSFET DSE028N10N3 TO-263

Need N-kanali lisamisrežiimi võimsus MOSFETS kasutasid Advanced Splite Gate Trench Technology disaini, pakkusid suurepärast RDSON-i ja madala värava laadimist. Mis on kooskõlas
ROHSi standardiga.

Kättesaadavus:

kogus:



Küsima Lisage korvi

Mudel:
DSE028N10N3
Bränd:
Wxdh
Pakett:
TO-263
Andmeleht:
Donghai_dsg030n10n3 ja DSE028N10N3_DATASHEET_V1.0.pdf
V:
100 V
V:
170A

Toote kirjeldus

170A 100 V N-kanali parendamise režiimi toitemootoriga MOSFET

1 kirjeldus

See N-kanali lisamisrežiimi võimsus MOSFETS kasutas Advanced Splite Gate Trench Technology disaini, pakkus suurepärast RDSON-i ja madala värava laadimist. Mis on kooskõlas ROHSi standardiga.

2 funktsiooni

● Kiire vahetamine

● Madal takistus

● Madala väravatasu

● Kõrge laviini vool

● Madal tagurpidi ülekande mahtuvus

● 100% ühe impulsi laviini energiatesti

● 100% ΔVDS -test

3 rakendust

● SMP -de sünkroonne refereerimine

● kõva lülitus ja kiire vooluring

● Elektritööriistad

● UPS

● Mootori juhtimine

VDSS	RDS (ON) (tüüp)	Isikutunnistus
100 V	2,4m Ω	170A

Eelmine:

Järgmine:

Mosfet