brána
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Nachádzate sa tu: Domov » Výrobky » » Mosfet » 12v-300 V n MOS » 100a 30V N-kanálové vylepšenie režimu Power MOSFET DH033N03D TO-252B

zaťaženie

Zdieľať na:
Tlačidlo zdieľania Facebooku
Tlačidlo zdieľania Twitteru
tlačidlo zdieľania riadkov
Tlačidlo zdieľania WeChat
tlačidlo zdieľania linkedIn
Tlačidlo zdieľania Pinterest
Tlačidlo zdieľania WhatsApp
Tlačidlo zdieľania zdieľania zdieľania

100A 30V N-kanálové vylepšenie režimu Power MOSFET DH033N03D TO-252B

100A 30V N-kanálové vylepšenie režimu Power MOSFET
dostupnosť:
Množstvo:

100A 30V N-kanálové vylepšenie režimu Power MOSFET


1 popis 

Tieto n-kanálové vylepšené režim napájanie VDMOSFETS používali pokročilý dizajn technológie priekopy, poskytli vynikajúci poplatok RDSON a Low Gate. Čo je v súlade so štandardom ROHS. 


2 funkcie

● Nízka strata prepínania

● Nízky odpor 

● Nízka brána

● Nízka kapacita prenosu spätného prenosu

● 100% Energia Energy Energy Energy Test 

● Test 100% ΔVDS 


3 aplikácie 

● Aplikácie prepínania napájania 

● Systém správy invertorov 

● Elektrické náradie 

● Prevodníci DC-DC


VDSS RDS (on) (typ) Id
30 V 3,3 MΩ 100a


Predchádzajúce: 
Ďalej: 
  • Prihláste sa do nášho bulletinu
  • Pripravte sa na budúcnosť
    Prihláste sa do nášho bulletinu, aby ste získali aktualizácie priamo do svojej doručenej pošty