100A 30V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET
1 Penerangan
Vdmosfet kuasa mod dipertingkatkan saluran N ini menggunakan reka bentuk teknologi parit termaju, memberikan Rdson yang sangat baik dan caj pintu rendah. Yang sesuai dengan piawaian RoHS.
2 Ciri-ciri
● Kehilangan pensuisan yang rendah
● Rendah pada rintangan
● Caj pintu rendah
● Kapasiti pemindahan terbalik yang rendah
● 100% ujian tenaga salji nadi tunggal
● 100% ujian ΔVDS
3 Aplikasi
● Aplikasi penukaran kuasa
● Sistem pengurusan penyongsang
● Alat elektrik
● Penukar DC-DC
| VDSS |
RDS(on)(TYP) |
ID |
| 30V |
3.3 mΩ |
100A |