Ketersediaan: | |
---|---|
Kuantiti: | |
DH033N03D
WXDH
TO-252B
30V
100a
100A 30V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
1 Penerangan
Mod N-Channel yang dipertingkatkan kuasa VDMOSFETS yang digunakan reka bentuk teknologi parit maju, dengan syarat RDSON yang sangat baik dan caj pintu rendah. Yang sesuai dengan standard ROHS.
2 ciri
● Kerugian beralih rendah
● Rendah terhadap rintangan
● Caj pintu rendah rendah
● Kapasiti pemindahan terbalik yang rendah
● Ujian tenaga Avalanche Pulse Single 100%
● Ujian 100% Δvds
3 aplikasi
● Aplikasi pensuisan kuasa
● Sistem Pengurusan Inverter
● Alat elektrik
● Penukar DC-DC
VDSS | Rds (on) (typ) | Id |
30V | 3.3 MΩ | 100a |
100A 30V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
1 Penerangan
Mod N-Channel yang dipertingkatkan kuasa VDMOSFETS yang digunakan reka bentuk teknologi parit maju, dengan syarat RDSON yang sangat baik dan caj pintu rendah. Yang sesuai dengan standard ROHS.
2 ciri
● Kerugian beralih rendah
● Rendah terhadap rintangan
● Caj pintu rendah rendah
● Kapasiti pemindahan terbalik yang rendah
● Ujian tenaga Avalanche Pulse Single 100%
● Ujian 100% Δvds
3 aplikasi
● Aplikasi pensuisan kuasa
● Sistem Pengurusan Inverter
● Alat elektrik
● Penukar DC-DC
VDSS | Rds (on) (typ) | Id |
30V | 3.3 MΩ | 100a |