MOSFET de potencia de modo de mejora de canal N de 100A 30V DH033N03D TO-252B

MOSFET de potencia en modo de mejora de canal N de 100 A y 30 V

1 Descripción 

Estos vdmosfets de potencia de modo mejorado de canal N utilizaron un diseño de tecnología de zanja avanzada, proporcionaron un Rdson excelente y una carga de puerta baja. Lo cual cumple con el estándar RoHS. 

2 características

● Baja pérdida de conmutación

● Baja resistencia 

● Cargo de puerta bajo

● Baja capacitancia de transferencia inversa

● Prueba de energía de avalancha de pulso único al 100% 

● Prueba 100% ΔVDS 

3 aplicaciones 

● Aplicaciones de conmutación de energía 

● Sistema de gestión de inversores. 

● herramientas eléctricas 

● Convertidores CC-CC

VDSS	RDS (activado) (TIPO)	IDENTIFICACIÓN
30V	3,3 mΩ	100A