brána
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Nachádzate sa tu: Domov » Produkty » MOSFET » 12V-300V N MOS » 100A 100V N-kanálový režim vylepšenia napájania MOSFET DHS065N10 TO-220C

načítavanie

Zdieľať s:
tlačidlo zdieľania na facebooku
tlačidlo zdieľania na Twitteri
tlačidlo zdieľania linky
tlačidlo zdieľania wechat
prepojené tlačidlo zdieľania
tlačidlo zdieľania na pintereste
tlačidlo zdieľania whatsapp
zdieľať toto tlačidlo zdieľania

100A 100V N-kanálový režim vylepšenia napájania MOSFET DHS065N10 TO-220C

100A 100V režim N-channel Enhancement Mode Power MOSFET
Dostupnosť:
Množstvo:

95A 100V N-kanálový režim vylepšenia výkonu MOSFET


1 Popis

Tieto výkonové mosfety s režimom N-kanálového vylepšenia využívali pokročilý dizajn technológie delenej brány, ktorý poskytoval vynikajúci Rdson a nízky náboj brány. Čo je v súlade s normou RoHS. 


2 Vlastnosti

● Rýchle prepínanie

● Nízky odpor

● Nízky poplatok za bránu 

● Vysoký lavínový prúd 

● Nízke kapacity spätného prenosu 

● 100% test lavínovej energie s jedným impulzom

● 100 % test ΔVDS 


3 Aplikácie 

● Synchrónna náprava v SMPS

● Tvrdé spínanie a vysokorýchlostný obvod 

● Elektrické náradie 

● UPS 

● Ovládanie motora

VDSS RDS(zapnuté)(TYP) ID
100 V 7,4 mΩ 95A


Predchádzajúce: 
Ďalej: 
  • Prihláste sa na odber nášho newslettera
  • pripravte sa na budúce,
    prihláste sa na odber nášho bulletinu, aby ste dostávali aktualizácie priamo do vašej doručenej pošty