geçit
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Buradasınız: Ev » Ürünler » Mosfet » 12V-300V N MOS » 100A 100V N-Kanal Geliştirme Modu Power Mosfet DHS065N10 TO-220C

yükleme

Paylaşın:
Facebook Paylaşım Düğmesi
Twitter Paylaşım Düğmesi
Hat Paylaşım Düğmesi
WeChat Paylaşım Düğmesi
LinkedIn Paylaşım Düğmesi
Pinterest Paylaşım Düğmesi
WhatsApp Paylaşım Düğmesi
sharethis paylaşım düğmesi

100A 100V N Kanal Geliştirme Modu Power MOSFET DHS065N10 TO-220C

100A 100V N Kanal Geliştirme Modu Güç MOSFET
Kullanılabilirliği:
Miktar:

95A 100V N Kanal Geliştirme Modu Güç MOSFET


1 Açıklama

Bu n-kanal geliştirme modu güç mosfets, mükemmel RDSON ve düşük kapı şarjı sağladı, gelişmiş splite geçit hendek teknolojisi tasarımı kullandı. ROHS standardı ile uyumludur. 


2 Özellik

● Hızlı anahtarlama

● Direnç düşük

● Düşük kapı şarjı 

● Yüksek çığ akımı 

● Düşük ters transfer kapasitansları 

●% 100 tek nabız çığ enerji testi

●% 100 ΔVDS testi 


3 Uygulama 

● SMP'lerde senkron düzeltme

● Sert anahtarlama ve yüksek hızlı devre 

● Elektrikli aletler 

● UPS 

● Motor kontrolü

VDSS RDS (ON) (tip) İD
100V 7.4mΩ 95a


Öncesi: 
Sonraki: 
  • Bültenimize kaydolun
  • Geleceğe Hazır Olun
    Bültenimize doğrudan gelen kutunuza güncellemeler almak için kaydolun