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100A 100V N-Kanal-Verbesserungsmodus Power MOSFET DHS065N10 TO-220C

100A 100V N-Kanalverbesserungsmodus LeistungsmOSFET-
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95A 100V N-Kanalverbesserungsmodus Power MOSFET


1 Beschreibung

Diese N-Channel-Verbesserungsmodus-MOSFETs verwendeten fortschrittliche Splite-Gate-Graben-Technologie-Design und bildeten eine hervorragende RDSON- und niedrige Gate-Ladung. Das entspricht dem ROHS -Standard. 


2 Merkmale

● schnelles Umschalten

● Niedrig des Widerstands

● Ladung mit niedriger Gate 

● hoher Lawinenstrom 

● Niedrige Umkehrtransferkapazität 

● 100% Einzelpuls -Avalanche -Energietest

● 100% ΔVDS -Test 


3 Anwendungen 

● Synchrone Korrektur in SMPs

● Hartschalter und Hochgeschwindigkeitskreislauf 

● Elektrowerkzeuge 

● ups 

● Motorsteuerung

VDSS RDS (ON) (Typ) AUSWEIS
100V 7,4 mΩ 95a


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