未命名 (1) (8) (1)
brána
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Nacházíte se zde: Domov » Produkty » MOSFET » 12V-300V n mos » Režim vylepšení n-kanálu Power MOSFET 180A 40V DHS020N04 TO-220C

načítání

Sdílet na:
Tlačítko sdílení Facebooku
tlačítko sdílení Twitteru
Tlačítko sdílení linky
Tlačítko sdílení WeChat
tlačítko sdílení LinkedIn
Tlačítko sdílení Pinterestu
tlačítko sdílení WhatsApp
Tlačítko sdílení Sharethis

Režim vylepšení n-kanálu Power MOSFET 180A 40V DHS020N04 TO-220C

Tyto režim vylepšení N-kanálů Power MOSFETS používal technologický design Advanced Splite Gate, poskytoval vynikající RDSON a nízký náboj brány. Který v souladu se standardem ROHS.
Dostupnost:
Množství:
Zeptejte se Přidejte do koše

Režim vylepšení n-kanálu Power MOSFET 180A 40V


1 Popis 

Tyto režim vylepšení N-kanálů Power MOSFETS používal technologický design Advanced Splite Gate, poskytoval vynikající RDSON a nízký náboj brány. Který v souladu se standardem ROHS. 


2 funkce 

● Rychlé přepínání 

● nízký odpor 

● Nízký náboj brány 

● proud s vysokou lavinou 

● nízký reverzní přenos kapacity 

● 100% test na lavinu s jedním pulsem 

● Test 100% ΔVDS 


3 aplikace 

● Aplikace pro přepínání napájení 

● Systém správy střídače 

● Power Tools

● Automobilová elektronika

VDSS RDS (on) (typ) Id
40V 1,7 mΩ 180a


Stáhnout Donghai+DHS020N04 & DHS020N04E+Datasheet+V2.0.pdf

Předchozí: 
Další: 
MOSFET
  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Zaregistrujte se do našeho zpravodaje
  • Připravte se na budoucnost
    Zaregistrujte se do našeho zpravodaje a získejte aktualizace přímo do vaší doručené pošty
    Předložit
Copyright © 2023Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Technology by Leadong.com