gerbang
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
You Are Here: Rumah » Produk » MOSFET » 12V-300V n Mos » N-Channel Enhancement Mode Power Mosfet 180A 40V DHS020N04 TO-220C

memuat

Bagikan ke:
Tombol Berbagi Facebook
Tombol Berbagi Twitter
Tombol Berbagi Baris
Tombol Berbagi WeChat
Tombol Berbagi LinkedIn
Tombol Berbagi Pinterest
Tombol Berbagi WhatsApp
Tombol Berbagi Sharethis

N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET 180A 40V DHS020N04 TO-220C

Mode Peningkatan N-Channel Power MOSFET ini menggunakan desain teknologi gerbang splite canggih, memberikan RDSON yang sangat baik dan biaya gerbang rendah. Yang sesuai dengan standar ROHS.
Ketersediaan:
Kuantitas:

N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET 180A 40V


1 deskripsi 

Mode Peningkatan N-Channel Power MOSFET ini menggunakan desain teknologi gerbang splite canggih, memberikan RDSON yang sangat baik dan biaya gerbang rendah. Yang sesuai dengan standar ROHS. 


2 fitur 

● Pergantian cepat 

● Rendah pada resistensi 

● Biaya gerbang rendah 

● Arus longsoran salju tinggi 

● Kapasitansi transfer terbalik rendah 

● Tes energi longsor pulsa tunggal 100% 

● Tes 100% ΔVDS 


3 aplikasi 

● Aplikasi switching daya 

● Sistem manajemen inverter 

● Alat listrik

● Elektronik otomotif

VDSS RDS (on) (Typ) PENGENAL
40v 1.7mΩ 180a


Sebelumnya: 
Berikutnya: 
  • Mendaftar untuk buletin kami
  • Bersiaplah untuk Masa Depan
    Mendaftar untuk Buletin Kami Untuk Mendapatkan Pembaruan Langsung Ke Kotak Masuk Anda