N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 180A 40V DHS020N04 TO-220C

N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 180A 40V

1 Popis 

Tieto výkonové mosfety v režime N-kanálového vylepšenia používali pokročilý dizajn technológie Splite gate, ktorý poskytoval vynikajúci Rdson a nízky náboj brány. Čo je v súlade s normou RoHS. 

2 Vlastnosti 

● Rýchle prepínanie 

● Nízky odpor 

● Nízky poplatok za bránu 

● Vysoký lavínový prúd 

● Nízke kapacity spätného prenosu 

● 100% test lavínovej energie s jedným impulzom 

● 100 % test ΔVDS 

3 Aplikácie 

● Aplikácie na prepínanie napájania 

● Systém riadenia meniča 

● Elektrické náradie

● Automobilová elektronika

VDSS	RDS(zapnuté)(TYP)	ID
40 V	1,7 mΩ	180A