未命名 (1) (8) (1)
brána
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Nachádzate sa tu: Domov » Výrobky » Mosfet » 12v-300 V n MOS » N-kanálové vylepšenie režimu Power MOSFET 180A 40V DHS020N0N04 až 220C

zaťaženie

Zdieľať na:
Tlačidlo zdieľania Facebooku
Tlačidlo zdieľania Twitteru
tlačidlo zdieľania riadkov
Tlačidlo zdieľania WeChat
tlačidlo zdieľania linkedIn
Tlačidlo zdieľania Pinterest
Tlačidlo zdieľania WhatsApp
Tlačidlo zdieľania zdieľania zdieľania

N-kanálový vylepšenie režimu Power MOSFET 180A 40V DHS020N04 TO-220C

Tieto n-kanálové vylepšenie režimu Power MOSFETS používali pokročilý dizajn technológie Splite Gate, zabezpečovali vynikajúci poplatok RDSON a nízky brán. Čo je v súlade so štandardom ROHS.
Dostupnosť:
množstvo:
Pýtať sa Pridať do koša

N-kanálový vylepšenie režimu Power MOSFET 180A 40V


1 popis 

Tieto n-kanálové vylepšenie režimu Power MOSFETS používali pokročilý dizajn technológie Splite Gate, zabezpečovali vynikajúci poplatok RDSON a nízky brán. Čo je v súlade so štandardom ROHS. 


2 funkcie 

● Rýchle prepínanie 

● Nízky odpor 

● Nízka brána 

● Vysoký lavínový prúd 

● Nízke kapacity prenosu spätného prenosu 

● 100% Energia Energy Energy Energy Test 

● Test 100% ΔVDS 


3 aplikácie 

● Aplikácie prepínania napájania 

● Systém správy invertorov 

● Elektrické náradie

● Automobilová elektronika

VDSS RDS (on) (typ) Id
40V 1,7 mΩ 180A


stiahnutie Donghai+DHS020N04 a DHS020N04E+DataShet+V2.0.pdf

Predchádzajúce: 
Ďalej: 
Mosfet
  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Prihláste sa do nášho bulletinu
  • Pripravte sa na budúcnosť
    Prihláste sa do nášho bulletinu, aby ste získali aktualizácie priamo do svojej doručenej pošty
    Odovzdať
Copyright © 2023Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Technology By Leadong.com