brána
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Nacházíte se zde: Domov »» Produkty » MOSFET » 12V-300V n mos » 200A 40V N-CANNEL EMANTEMENT REDE Power MOSFET

načítání

Sdílet na:
Tlačítko sdílení Facebooku
tlačítko sdílení Twitteru
Tlačítko sdílení linky
Tlačítko sdílení WeChat
tlačítko sdílení LinkedIn
Tlačítko sdílení Pinterestu
tlačítko sdílení WhatsApp
Tlačítko sdílení Sharethis

200A 40V N-kanálový režim vylepšení Power MOSFET

Tyto režim vylepšení N-kanálů Power MOSFETS používal pokročilý trenční technologický design, poskytoval vynikající RDSON a nízký náboj brány. Který v souladu se standardem ROHS.
Dostupnost:
Množství:
  • D1404/FD1404/ED1404

  • Wxdh

200A 40V N-kanálový režim vylepšení Power MOSFET


1 Popis 

Tyto režim vylepšení N-kanálů Power MOSFETS používal pokročilý trenční technologický design, poskytoval vynikající RDSON a nízký náboj brány. Který v souladu se standardem ROHS. 


2 funkce 

● nízký odpor 

● Nízký náboj brány 

● Rychlé přepínání 

● nízký reverzní přenos kapacity 

● 100% test na lavinu s jedním pulsem 

● Test 100% ΔVDS 


3 aplikace 

● Přepínání napájení

● Systém správy střídače 

● Ovládání nástrojů na elektřinu 

● Aplikace pro automobilovou elektroniku 

● Synchronní rektifikace

VDSS RDS (on) (typ) Id
40V 1,9 mΩ 200a


Předchozí: 
Další: 
  • Zaregistrujte se do našeho zpravodaje
  • Připravte se na budoucnost
    Zaregistrujte se do našeho zpravodaje a získejte aktualizace přímo do vaší doručené pošty