gate
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
DU ÄR HÄR: Hem » Produkt » Mosfet » 12V-300V N MOS » 200a 40V N-kanalförbättringsläge Power MOSFET

belastning

Dela till:
Facebook -delningsknapp
Twitter -delningsknapp
linjedelningsknapp
WeChat Sharing -knapp
LinkedIn Sharing -knapp
Pinterest Sharing -knapp
whatsapp delningsknapp
Sharethis Sharing -knapp

200a 40V N-kanalförbättringsläge Power MOSFET

Dessa N-kanalförbättringsläge Power MOSFETS använde avancerad diketeknikdesign, gav utmärkt RDSON och låg grindladdning. Som överensstämmer med ROHS -standarden.
Tillgänglighet:
Kvantitet:
  • D1404/FD1404/ED1404

  • Wxdh

200a 40V N-kanalförbättringsläge Power MOSFET


1 Beskrivning 

Dessa N-kanalförbättringsläge Power MOSFETS använde avancerad diketeknikdesign, gav utmärkt RDSON och låg grindladdning. Som överensstämmer med ROHS -standarden. 


2 funktioner 

● Låg motstånd 

● Låg grindavgift 

● Snabbbrytning 

● Låg omvänd överföringskapacitanser 

● 100% enkelpuls snöskredsenergitest 

● 100% ΔVDS -test 


3 applikationer 

● Växla strömförsörjning

● Krafthanteringssystemet för inverterare 

● Kontroll av elverktyg 

● Automotive Electronics Applications 

● Synkron rättelse

Vds Rds (on) (typ) Id
40V 1,9mΩ 200a


Tidigare: 
Nästa: 
  • Registrera dig för vårt nyhetsbrev
  • Gör dig redo för den framtida
    registreringen för vårt nyhetsbrev för att få uppdateringar direkt till din inkorg