200A 40V N-kanal Geliştirme Modu Güç MOSFET

200A 40V N-kanal Geliştirme Modu Güç MOSFET

1 Açıklama 

Bu N-kanal geliştirme modu güç mosfetleri, gelişmiş kanal teknolojisi tasarımını kullanmış, mükemmel Rdson ve düşük geçit şarjı sağlamıştır. RoHS standardına uygundur. 

2 Özellikler 

● Düşük direnç 

● Düşük kapı ücreti 

● Hızlı geçiş 

● Düşük ters transfer kapasitansları 

● %100 tek darbeli çığ enerjisi testi 

● %100 ΔVDS testi 

3 Uygulama 

● Güç kaynağının değiştirilmesi

● İnverter güç yönetim sistemi 

● Elektrikli alet kontrolü 

● Otomotiv elektroniği uygulamaları 

● Senkron düzeltme

VDSS	RDS(açık)(TİP)	İD
40V	1,9 mΩ	200A