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200 A 40 V N-Kanal-Anreicherungsmodus-Leistungs-MOSFET

Diese Leistungs-MOSFETs im N-Kanal-Anreicherungsmodus nutzten ein fortschrittliches Trench-Technologie-Design und sorgten für einen hervorragenden Rdson und eine niedrige Gate-Ladung. Was dem RoHS-Standard entspricht.
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200 A 40 V N-Kanal-Anreicherungsmodus-Leistungs-MOSFET


1 Beschreibung 

Diese Leistungs-MOSFETs im N-Kanal-Anreicherungsmodus nutzten ein fortschrittliches Trench-Technologie-Design und sorgten für einen hervorragenden Rdson und eine niedrige Gate-Ladung. Was dem RoHS-Standard entspricht. 


2 Funktionen 

● Geringer Widerstand 

● Niedrige Gate-Ladung 

● Schnelles Umschalten 

● Geringe Rückübertragungskapazitäten 

● 100 % Einzelimpuls-Lawinenenergietest 

● 100 % ΔVDS-Test 


3 Anwendungen 

● Schaltnetzteil

● Wechselrichter-Energieverwaltungssystem 

● Steuerung von Elektrowerkzeugen 

● Anwendungen der Automobilelektronik 

● Synchrongleichrichtung

VDSS RDS(ein)(TYP) AUSWEIS
40V 1,9 mΩ 200A


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