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200A 40V N-Kanal-Verbesserungsmodus Power MOSFET

Diese N-Channel-Verbesserungsmodus-MOSFETs verwendeten fortschrittliche Gräbertechnologiedesign und bildeten eine hervorragende RDSON- und niedrige Gate-Ladung. Das entspricht dem ROHS -Standard.
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  • D1404/fd1404/ed1404

  • Wxdh

200A 40V N-Kanal-Verbesserungsmodus Power MOSFET


1 Beschreibung 

Diese N-Channel-Verbesserungsmodus-MOSFETs verwendeten fortschrittliche Gräbertechnologiedesign und bildeten eine hervorragende RDSON- und niedrige Gate-Ladung. Das entspricht dem ROHS -Standard. 


2 Merkmale 

● Niedrig des Widerstands 

● Ladung mit niedriger Gate 

● schnelles Umschalten 

● Niedrige Umkehrtransferkapazität 

● 100% Einzelpuls -Avalanche -Energietest 

● 100% ΔVDS -Test 


3 Anwendungen 

● Stromversorgung wechseln

● Wechselrichter -Leistungsmanagementsystem 

● Elektrowerkzeugsteuerung 

● Anwendungen zur Kfz -Elektronik 

● Synchrone Rentifikation

VDSS RDS (ON) (Typ) AUSWEIS
40V 1,9 mΩ 200a


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