200A 40V N-channel โหมดเพิ่มประสิทธิภาพ MOSFET พลังงาน

200A 40V N-channel โหมดเพิ่มประสิทธิภาพ MOSFET พลังงาน

1 คำอธิบาย 

มอสเฟตกำลังโหมดการเพิ่มประสิทธิภาพโหมด N-channel เหล่านี้ใช้การออกแบบเทคโนโลยีร่องลึกขั้นสูง ซึ่งให้ Rdson ที่ยอดเยี่ยมและการชาร์จเกตต่ำ ซึ่งสอดคล้องกับมาตรฐาน RoHS 

2 คุณสมบัติ 

● ความต้านทานต่ำ 

● ค่าเกตต่ำ 

● การสลับอย่างรวดเร็ว 

● ความจุการถ่ายโอนแบบย้อนกลับต่ำ 

● การทดสอบพลังงานหิมะถล่มพัลส์เดี่ยว 100% 

● การทดสอบ ΔVDS 100% 

3 การใช้งาน 

● การสลับแหล่งจ่ายไฟ

● ระบบการจัดการพลังงานอินเวอร์เตอร์ 

● การควบคุมเครื่องมือไฟฟ้า 

● การใช้งานอุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ในยานยนต์ 

● การแก้ไขแบบซิงโครนัส

วีดีเอสเอส	RDS (บน) (ประเภท)	บัตรประจำตัวประชาชน
40V	1.9mΩ	200A