200A 40V N-channel Enhancement Mode ပါဝါ MOSFET
1 ဖော်ပြချက်
ဤ N-channel မြှင့်တင်မှုမုဒ်ပါဝါ mosfets များသည် ကောင်းမွန်သော Rdson နှင့် low gate charge ကိုပေးစွမ်းသော အဆင့်မြင့် ကတုတ်ကျင်းနည်းပညာဒီဇိုင်းကို အသုံးပြုထားသည်။ RoHS စံနှုန်းနဲ့ ကိုက်ညီပါတယ်။
အင်္ဂါရပ် ၂ ခု
● ခုခံမှုနည်းသည်။
● နိမ့်သောဂိတ်တာဝန်ခံ
● အမြန်ပြောင်းခြင်း။
● နိမ့်သောပြောင်းပြန်လွှဲပြောင်းစွမ်းရည်
● 100% single pulse avalanche စွမ်းအင်စမ်းသပ်မှု
● 100% ΔVDS စမ်းသပ်မှု
3 လျှောက်လွှာများ
● ပါဝါထောက်ပံ့မှုကို ပြောင်းခြင်း။
● အင်ဗာတာ ပါဝါစီမံခန့်ခွဲမှုစနစ်
● ပါဝါကိရိယာ ထိန်းချုပ်မှု
● မော်တော်ကား အီလက်ထရွန်းနစ် အသုံးချပရိုဂရမ်များ
● ထပ်တူပြု၍ ပြုပြင်ခြင်း။
| VDSS |
RDS(ဖွင့်)(TYP) |
အမှတ်သညာ |
| 40V |
1.9mΩ |
200A |