未命名(1)(8) (1)
portti
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Olet täällä: Kotiin » Tuotteet » MOSFET



Malli:
Paketti:
V:
V:
VALITUT TUOTELINJAT:

MOSFET

Kuva Mallipaketti V A Datasheet Tiedot Kysely Lisää koriin
90A 40V N-kanavainen lisätila Virta MOSFET DH045N04 TO-220C DH045N04 -220C 40V 90A Laite DH045N04 Specification.pdf
100V/2,2mΩ/180A N-MOSFET DSE026N10N3A TO-263 DSE026N10N3A TO-263 100V 180A DSE026N10N3A_Datasheet_V1.0.pdf
7A 650 V N-kanavainen parannustila Virta MOSFET DHD7N65 TO-252B DHD7N65 TO-252B 650V 7A 英文版DHD7N65技术规格书REV1.1.pdf
DSG019N04L TO-220C paketti DSG019N04L -220C 40V 180A DSG019N04L_Datasheet_V1.0.pdf
270A 120V N-kanavainen lisätila Virta MOSFET DHS044N12U TOLL PAKETTI DHS044N12U TOLL 120V 270A DHS044N12U_Datasheet_V2.0.pdf
40V/0,85mΩ/200A N-MOSFET DSE012N04NA TO-263 PAKETTI DSE012N04NA TO-263 40V 200A DSE012N04NA_Datasheet_V1.0.pdf
DSG070N10L3 TO-220 DSG070N10L3 -220C 100V 100A DSG070N10L3_Datasheet_V1.0+.pdf
DHP50P04 DFN5X6 DHP50P04 DFN5X6 -40V -50A Laitteen DHP50P04 Specification(DFN56)(1).pdf
21A 100V N-kanavainen lisälaitetila Power MOSFET DHS400N10LD / DHS400N10LB / DHS400N10L
20A 500V N-kanavainen parannustila Virta MOSFET F20N50 F20N50 TO-220F 500V 20A 英文版F20N50技术规格书REV1.1.pdf
21A 650V N-kanavainen Super Junction Power MOSFET DHSJ21N65W TO-247 DHSJ21N65W TO-247 650V 21A DHSJ21N65W_Datesheet_V1.0.pdf
60A 20V N-kanavainen parannustilan teho MOSFET DH048N02B/DH048N02D
170 A 100 V N-kanavainen lisätilateho MOSFET DSE028N10N3 TO-263 DSE028N10N3 TO-263 100V 170A DSG030N10N3&DSE028N10N3_Datasheet_V1.0.pdf
100A 60V N-kanavainen lisätila Virta MOSFET DH066N06 TO-220C DH066N06 -220C 60V 100A DH066N06D_Datasheet_V2.0.pdf
160A 30V N-kanavainen lisätila Virta MOSFET DH020N03P 5x6-8 DH020N03P DFN5X6 30V 160A Laitteen DH020N03P Specification.pdf
120A 40V N-kanavainen lisätila Virta MOSFET DH033N04 TO-220C DH033N04 -220C 40V 120A Laite DH033N04 Specification.pdf
15A 100V N-kanavainen lisätila Virta MOSFET DH850N10B TO-251B DH850N10B TO-251B 100V 15A Laite DH850N10 Specification.pdf
180A 40V N-kanavainen lisätila Virta MOSFET DHS021N04 TO-220C DHS021N04 -220C 40V 180A Donghai+DHS021N04&DHS021N04E+DataSheet+V3.0.pdf
N-kanavan laajennustilan teho MOSFET 145A 60V DH045N06D TO-252B DH045N06 -220C 60V 145A Laite DH045N06 Specification.pdf
47A 100V N-kanavainen parannustilan teho MOSFET TO-220C DHS180N10L -220C 100V 47A Laitteen DHS180N10L Specification.pdf

Tuotevideo



  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Tilaa uutiskirjeemme
  • Valmistaudu tulevaan
    tilaamalla uutiskirjeemme saadaksesi päivitykset suoraan sähköpostiisi
    Lähetä
Tekijänoikeus © 2023​​​​​​​ Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Technology by leadong.com