portti
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Olet tässä: Kotiin » Tuotteet » MOSFET » 12V-300V N MOS » 21A 100V N-kanavainen lisälaitetila Virta MOSFET

lastaus

Jaa:
Facebookin jakamispainike
Twitterin jakamispainike
linjan jakamispainike
wechatin jakamispainike
linkedinin jakamispainike
pinterestin jakamispainike
whatsapp jakamispainike
jaa tämä jakamispainike

21A 100V N-kanavainen lisälaitetila Power MOSFET

21A 100V N-kanavainen Enhancement Mode Power MOSFET
Saatavuus:
Määrä:
  • DHS400N10LD / DHS400N10LB / DHS400N10L

  • LXDH

21A 100V N-kanavainen lisälaitetila Power MOSFET


1 Kuvaus 

Nämä N-kanavan tehostustilan tehomosfetit käyttivät edistynyttä kaivaustekniikkaa, tarjoten erinomaisen Rdson-latauksen ja alhaisen porttilatauksen. Joka on RoHS-standardin mukainen. 


2 Ominaisuudet

● Alhainen vastus

● Matala portin lataus 

● Nopea vaihto 

● Alhaiset paluusiirtokapasitanssit 

● 100 % yhden pulssin lumivyöryenergiatesti

● 100 % ΔVDS-testi


3 Sovellukset 

● Virrankytkentäsovellukset 

● Invertterin hallintajärjestelmä

● Sähkötyökalut 

● Autoelektroniikka

VDSS RDS(päällä)(TYP) ID
100V 40mΩ 21A


Edellinen: 
Seuraavaksi: 
  • Tilaa uutiskirjeemme
  • Valmistaudu tulevaan
    tilaamalla uutiskirjeemme saadaksesi päivitykset suoraan sähköpostiisi