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DSE065N10L3A TO-263 DSE065N10L3A A-263 100V 103A DSE065N10L3A_Datasheet_V1.0.pdf
100V/2.2mΩ/180A N-MOSFET DSE026N10N3A TO-263 DSE026N10N3A A-263 100V 180A DSE026N10N3A_Datasheet_V1.0.pdf
MOSFET de potencia del modo de mejora del canal N de 7A 650V DHD7N65 TO-252B DHD7N65 TO-252B 650V 7A 英文版DHD7N65技术规格书REV1.1.pdf
Paquete DSG019N04L TO-220C DSG019N04L TO-220C 40V 180A DSG019N04L_Datasheet_V1.0.pdf
PAQUETE DE PEAJE MOSFET DHS044N12U de potencia de modo de mejora de canal N de 270A y 120 V DHS044N12U PEAJE 120V 270A DHS044N12U_Datasheet_V2.0.pdf
PAQUETE N-MOSFET DSE012N04NA TO-263 de 40 V/0,85 mΩ/200 A DSE012N04NA A-263 40V 200A DSE012N04NA_Datasheet_V1.0.pdf
DHP50P04 DFN5X6 DHP50P04 DFN5X6 -40V -50A Especificación del dispositivo DHP50P04 (DFN56) (1).pdf
DSG070N10L3 TO-220 DSG070N10L3 TO-220C 100V 100A DSG070N10L3_Datasheet_V1.0+.pdf
MOSFET de potencia de súper unión de canal N de 21A 650V DHSJ21N65W TO-247 DHSJ21N65W A-247 650V 21A DHSJ21N65W_Datesheet_V1.0.pdf
MOSFET de potencia en modo de mejora de canal N de 60 A y 20 V DH048N02B/DH048N02D
MOSFET de potencia en modo de mejora de canal N de 21 A y 100 V DHS400N10LD /DHS400N10LB /DHS400N10L
MOSFET de potencia F20N50 del modo de mejora del canal N de 20A 500V F20N50 TO-220F 500V 20A 英文版F20N50技术规格书REV1.1.pdf
MOSFET de potencia del modo de mejora del canal N de 170A 100V DSE028N10N3 TO-263 DSE028N10N3 A-263 100V 170A DSG030N10N3 y DSE028N10N3_Datasheet_V1.0.pdf
MOSFET de potencia de modo de mejora de canal N de 120A 40V DH033N04 TO-220C DH033N04 TO-220C 40V 120A Especificación del dispositivo DH033N04.pdf
MOSFET de potencia de modo de mejora de canal N de 100A 60V DH066N06 TO-220C DH066N06 TO-220C 60V 100A DH066N06D_Datasheet_V2.0.pdf
MOSFET de potencia del modo de mejora del canal N de 160A 30V DH020N03P 5x6-8 DH020N03P DFN5X6 30V 160A Especificación del dispositivo DH020N03P.pdf
MOSFET de potencia del modo de mejora del canal N de 180A 40V DHS021N04 TO-220C DHS021N04 TO-220C 40V 180A Donghai+DHS021N04&DHS021N04E+Hoja de datos+V3.0.pdf
MOSFET de potencia de modo de mejora de canal N 145A 60V DH045N06D TO-252B DH045N06 TO-220C 60V 145A Especificación del dispositivo DH045N06.pdf
MOSFET de potencia de modo de mejora de canal N de 15A 100V DH850N10B TO-251B DH850N10B TO-251B 100V 15A Especificación del dispositivo DH850N10.pdf
MOSFET de potencia de modo de mejora de canal P de 18A 100V DH100P18B TO-251B DH100P18B TO-251B 100V 18A Dispositivo DH100P18 B79 Especificación.pdf

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