MOSFET de potencia en modo de mejora de canal N de 60 A y 20 V

MOSFET de potencia en modo de mejora de canal N de 60 A y 20 V

1 Descripción 

Estos mosfets de potencia en modo de mejora de canal N utilizaron un diseño de tecnología de zanja avanzada, proporcionaron un Rdson excelente y una carga de puerta baja. Lo cual cumple con el estándar RoHS. 

2 características 

● Baja resistencia 

● Cargo de puerta bajo 

● Bajas capacitancias de transferencia inversa. 

● Prueba de energía de avalancha de pulso único al 100% 

● Prueba 100% ΔVDS 

3 aplicaciones 

● Conmutación de carga 

● Circuitos de alta frecuencia y de conmutación dura 

● Fuente de alimentación ininterrumpida

VDSS	RDS (activado) (TIPO)	IDENTIFICACIÓN
20V	4,8 mΩ	60A