Disponibilidad | |
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Cantidad: | |
DH048N02B/DH048N02D
Wxdh
60A 20V N-Canal Modo de mejora MOSFET
1 descripción
Estos Mosfets de potencia de potencia de modo de mejora del canal N utilizaron un diseño de tecnología de trinchera avanzada, proporcionó una excelente carga de RDSON y baja puerta. Que concuerda con el estándar ROHS.
2 características
● Bajo en resistencia
● carga de puerta baja
● Capacitancias de transferencia inversa bajas
● Prueba de energía de avalancha de pulso 100% 100%
● Prueba de 100% ΔVDS
3 aplicaciones
● Cambio de carga
● Circuitos de alta frecuencia conmutados y de alta frecuencia
● Fuente de alimentación ininterrumpida
VDSS | RDS (ON) (typ) | IDENTIFICACIÓN |
20V | 4.8mΩ | 60A |
60A 20V N-Canal Modo de mejora MOSFET
1 descripción
Estos Mosfets de potencia de potencia de modo de mejora del canal N utilizaron un diseño de tecnología de trinchera avanzada, proporcionó una excelente carga de RDSON y baja puerta. Que concuerda con el estándar ROHS.
2 características
● Bajo en resistencia
● carga de puerta baja
● Capacitancias de transferencia inversa bajas
● Prueba de energía de avalancha de pulso 100% 100%
● Prueba de 100% ΔVDS
3 aplicaciones
● Cambio de carga
● Circuitos de alta frecuencia conmutados y de alta frecuencia
● Fuente de alimentación ininterrumpida
VDSS | RDS (ON) (typ) | IDENTIFICACIÓN |
20V | 4.8mΩ | 60A |