60A 20V N-channel โหมดเพิ่มประสิทธิภาพ MOSFET พลังงาน

60A 20V N-channel โหมดเพิ่มประสิทธิภาพ MOSFET พลังงาน

1 คำอธิบาย 

มอสเฟตกำลังโหมดการเพิ่มประสิทธิภาพโหมด N-channel เหล่านี้ใช้การออกแบบเทคโนโลยีร่องลึกขั้นสูง ซึ่งให้ Rdson ที่ยอดเยี่ยมและการชาร์จเกตต่ำ ซึ่งสอดคล้องกับมาตรฐาน RoHS 

2 คุณสมบัติ 

● ความต้านทานต่ำ 

● ค่าเกตต่ำ 

● ความจุการถ่ายโอนแบบย้อนกลับต่ำ 

● การทดสอบพลังงานหิมะถล่มพัลส์เดี่ยว 100% 

● การทดสอบ ΔVDS 100% 

3 การใช้งาน 

● การสลับโหลด 

● วงจรฮาร์ดสวิตซ์และความถี่สูง 

● แหล่งจ่ายไฟสำรอง

วีดีเอสเอส	RDS (บน) (ประเภท)	บัตรประจำตัวประชาชน
20V	4.8mΩ	60เอ