Disponibilidade MOSFET: | |
---|---|
Quantidade: | |
DH048N02B/DH048N02D
Wxdh
60A 20V Modo de aprimoramento de canal N MOSFET
1 Descrição
Esses MOSFETs de energia de aprimoramento de canal N usavam design avançado de tecnologia de vala, forneceram excelente RDSON e baixa carga do portão. Que de acordo com o padrão ROHS.
2 recursos
● baixa resistência
● Baixa carga do portão
● Capacitâncias de transferência reversa baixa
● Teste de energia de avalanche de pulso 100% único
● Teste 100% ΔVDS
3 aplicações
● Comutação de carga
● Circuitos com comutação dura e de alta frequência
● Fonte de energia ininterrupta
VDSS | Rds (on) (Typ) | EU IA |
20V | 4.8mΩ | 60a |
60A 20V Modo de aprimoramento de canal N MOSFET
1 Descrição
Esses MOSFETs de energia de aprimoramento de canal N usavam design avançado de tecnologia de vala, forneceram excelente RDSON e baixa carga do portão. Que de acordo com o padrão ROHS.
2 recursos
● baixa resistência
● Baixa carga do portão
● Capacitâncias de transferência reversa baixa
● Teste de energia de avalanche de pulso 100% único
● Teste 100% ΔVDS
3 aplicações
● Comutação de carga
● Circuitos com comutação dura e de alta frequência
● Fonte de energia ininterrupta
VDSS | Rds (on) (Typ) | EU IA |
20V | 4.8mΩ | 60a |