Kullanılabilirliği: | |
---|---|
Miktar: | |
DH048N02B/DH048N02D
WXDH
60A 20V N Kanal Geliştirme Modu Güç MOSFET
1 Açıklama
Bu n-kanal geliştirme modu güç mosfets, gelişmiş hendek teknolojisi tasarımı kullandı, mükemmel RDSON ve düşük kapı şarjı sağladı. ROHS standardı ile uyumludur.
2 Özellik
● Direnç düşük
● Düşük kapı şarjı
● Düşük ters transfer kapasitansları
●% 100 tek nabız çığ enerji testi
●% 100 ΔVDS testi
3 Uygulama
● Yük Anahtarlama
● Sert anahtarlı ve yüksek frekanslı devreler
● Kesintisiz güç kaynağı
VDSS | RDS (ON) (tip) | İD |
20V | 4.8mΩ | 60a |
60A 20V N Kanal Geliştirme Modu Güç MOSFET
1 Açıklama
Bu n-kanal geliştirme modu güç mosfets, gelişmiş hendek teknolojisi tasarımı kullandı, mükemmel RDSON ve düşük kapı şarjı sağladı. ROHS standardı ile uyumludur.
2 Özellik
● Direnç düşük
● Düşük kapı şarjı
● Düşük ters transfer kapasitansları
●% 100 tek nabız çığ enerji testi
●% 100 ΔVDS testi
3 Uygulama
● Yük Anahtarlama
● Sert anahtarlı ve yüksek frekanslı devreler
● Kesintisiz güç kaynağı
VDSS | RDS (ON) (tip) | İD |
20V | 4.8mΩ | 60a |