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60A 20V N-Kanalverbesserungsmodus Power MOSFET

60A 20V N-Kanalverbesserungsmodus LeistungsmOSFET-
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  • DH048N02B/DH048N02D

  • Wxdh

60A 20V N-Kanalverbesserungsmodus Power MOSFET


1 Beschreibung 

Diese N-Channel-Verbesserungsmodus-MOSFETs verwendeten fortschrittliche Gräbertechnologiedesign und bildeten eine hervorragende RDSON- und niedrige Gate-Ladung. Das entspricht dem ROHS -Standard. 


2 Merkmale 

● Niedrig des Widerstands 

● Ladung mit niedriger Gate 

● Niedrige Umkehrtransferkapazität 

● 100% Einzelpuls -Avalanche -Energietest 

● 100% ΔVDS -Test 


3 Anwendungen 

● Ladenschaltung 

● hart umschaltete und hochfrequente Schaltungen 

● ununterbrochenes Stromversorgung

VDSS RDS (ON) (Typ) AUSWEIS
20V 4,8m Ω 60a


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