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60 A 20 V N-Kanal-Anreicherungsmodus-Leistungs-MOSFET

60 A 20 V N-Kanal-Anreicherungsmodus-Leistungs-MOSFET
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  • DH048N02B/DH048N02D

  • WXDH

60 A 20 V N-Kanal-Anreicherungsmodus-Leistungs-MOSFET


1 Beschreibung 

Diese Leistungs-MOSFETs im N-Kanal-Anreicherungsmodus nutzten ein fortschrittliches Trench-Technologie-Design und sorgten für einen hervorragenden Rdson und eine niedrige Gate-Ladung. Was dem RoHS-Standard entspricht. 


2 Funktionen 

● Geringer Widerstand 

● Niedrige Gate-Ladung 

● Geringe Rückübertragungskapazitäten 

● 100 % Einzelimpuls-Lawinenenergietest 

● 100 % ΔVDS-Test 


3 Anwendungen 

● Lastumschaltung 

● Hart geschaltete und hochfrequente Schaltkreise 

● Unterbrechungsfreie Stromversorgung

VDSS RDS(ein)(TYP) AUSWEIS
20V 4,8 mΩ 60A


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