未命名 (1) (8) (1)
puerta
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Estás aquí: Hogar » Productos » Mosfet



Modelo:
Paquete:
V:
A:
Líneas de productos seleccionadas:

Mosfet

de imagen de modelo Paquete V Una de la hoja de datos de detalles consulta Agregar a la canasta
80A 85V N-canal Modo de mejora MOSFET DHS065N85P DFN5*6-8 DHS065N85P DFN5*6-8 85V 80A Dispositivo DHS065N85P Especificación.PDF
120A 85V Modo de mejora del canal de potencia MOSFET DHS045N85 TO-220C DHS045N85 A 220c 85V 120a Dispositivo DHS045N85 Especificación-Rev.2.0.pdf
205A 85V Modo de mejora del canal MOSFET DHS025N88 TO-263 DHS025N88E A 263 85V 205a Dispositivo DHS025N88 Especificación.PDF
90A 150V Modo de mejora del canal de potencia MOSFET DHS110N15 TO-220C DHS110N15 A 220c 150V 90A Dispositivo DHS110N15 Especificación Rev.1.0.pdf
21A 650V N-canal Super Junction Power MOSFET DHSJ21N65W TO-247 DHSJ21N65W To-247 650V 21A Dhsj21n65w_datesheet_v1.0.pdf
81A 80V N-canal Modo de mejora de potencia MOSFET DH060N08 a 220C DH060N08 A 220c 80V 81a Dispositivo DH060N08 Especificación.PDF
42A 600V N-canal Super Junction Potencia MOSFET DJC070N60F TO-247 DJC070N60F To-247 600V 42a Dispositivo DJC070N60F Especificación.PDF
31A 600V N-canal Super Junction Power Mosfet DJC099N60F/DJF099N60F
12a 700V N-canal Super Junction Power Mosfet DJF360N70
10.6A 650V N-canal Super Junction Power MOSFET DJD380N65T TO-252B DJD380N65T A 252b 650V 10.6a Djd380n65t_datesheet_v1.0.pdf
11a 650V N-canal Super Junction Power MOSFET DHSJ11N65 a 220C Dhsj11n65 A 220c 650V 11A Dispositivo DHSJ11N65Specification (s) .pdf
13A 650V N-canal Super Junction Power MOSFET DHSJ13N65 a 220C DHSJ13N65 A 220c 650V 13A Dispositivo DHSJ13N65 Especificación.PDF
25A 650V N-canal Super Junction Power MOSFET DHSJ25N65F TO-220C Dhsj25n65f A 220c 650V 25A Dispositivo DHSJ25N65F Especificación.PDF
3A 900V N-canal Modo de mejora MOSFET DHB3N90 a 251 DHB3N90 A 251 900V 3A Dispositivo DH3N90 Especificación.PDF
Modo de mejora del canal P de 40A 100V Potencia MOSFET DH100P40 a 220C DH100P40 A 220c 100V 40A Dispositivo DH100P40 Especificación.PDF
-10A -40V Modo de mejora del canal P potencia MOSFET DH170P04V SOP-8 Dh170p04v SOP-8 -40V -10A Dispositivo+DH170P04V+especificación.pdf
50A 650V Puerta de zanja de trincheras Transistor bipolar G50T65D TO-3PN G50T65D A 3pn 650V 50A G50T65D 技术规格书 .pdf
150A 150V N-canal Modo de mejora de potencia MOSFET DHS042N15E TO-263 DHS042N15E A 263 150V 150a Dhs042n15 y dhs042n15e_dataSheet_v2.0 (1) .pdf
85A 150V Modo de mejora del canal MOSFET DHS110N15D TO-25BB DHS110N15D A 252b 150V 85a Dispositivo DHS110N15D Especificación.PDF
150V/9.5MΩ/52A N-MOSFET DHS110N15F TO-220F DHS110N15F A 220F 150V 52a Donghai+DHS110N15F+Hoja de datos+V1.0.PDF

Video de productos



  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Regístrese para nuestro boletín
  • Prepárese para el futuro
    Regístrese para nuestro boletín para obtener actualizaciones directamente a su bandeja de entrada
    Entregar
Copyright © 2023Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Technology by Leadong.com