MOSFET N de 40 V/4,0 mΩ/66 A
1 Descripción
Estos mosfets de potencia en modo de mejora de canal N utilizaron un diseño de tecnología de zanja avanzada, proporcionaron un Rdson excelente y una carga de puerta baja. Lo cual cumple con el estándar RoHS.
2 características
● Baja resistencia
● Bajas capacitancias de transferencia inversa.
● Prueba de energía de avalancha de pulso único al 100%
● Prueba 100% ΔVDS
● Recubrimiento sin Pb / Sin halógenos / Cumple con RoHS
3 aplicaciones
● Control y accionamiento de motores
● Carga/Descarga para el sistema de gestión de baterías
● Rectificador síncrono para SMPS
● Aplicación automotriz
| VDSS |
RDS (activado) (TIPO) |
IDENTIFICACIÓN |
| 40V |
4,0 mΩ |
66A |