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Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
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40V/4.0MΩ/66AN-MOSFET DSP060N04LA DFN5*6

Estos Mosfets de potencia de potencia de modo de mejora del canal N utilizaron un diseño de tecnología de trinchera avanzada, proporcionó una excelente carga de RDSON y baja puerta. Que concuerda con el estándar ROHS.
Disponibilidad:
Cantidad:

40V/4.0MΩ/66A N-MOSFET


1 descripción 

Estos Mosfets de potencia de potencia de modo de mejora del canal N utilizaron un diseño de tecnología de trinchera avanzada, proporcionó una excelente carga de RDSON y baja puerta. Que concuerda con el estándar ROHS. 


2 características 

● Bajo en resistencia 

● Capacitancias de transferencia inversa bajas 

● Prueba de energía de avalancha de pulso 100% 100% 

● Prueba de 100% ΔVDS 

● Capazante de placas sin PB / sin halógeno / ROHS


3 aplicaciones 

● Control y accionamiento del motor

● Carga/descarga para el sistema de gestión de la batería

● Rectificador sincrónico para SMPS

● Aplicación automotriz


VDSS RDS (ON) (typ) IDENTIFICACIÓN
40V 4.0mΩ 66a


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