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Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
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40V/4.0MΩ/66AN-MOSFET DSP060N04LA DFN5*6

Esses MOSFETs de potência de aprimoramento de canal N usavam design avançado de tecnologia de vala, forneceram excelente rdson e baixa carga do portão. Que de acordo com o padrão ROHS.
Disponibilidade:
Quantidade:

40V/4.0MΩ/66A N-MOSFET


1 Descrição 

Esses MOSFETs de potência de aprimoramento de canal N usavam design avançado de tecnologia de vala, forneceram excelente rdson e baixa carga do portão. Que de acordo com o padrão ROHS. 


2 recursos 

● baixa resistência 

● Capacitâncias de transferência reversa baixa 

● Teste de energia de avalanche de pulso 100% único 

● Teste 100% ΔVDS 

● Compatível de revestimento sem Pb / sem halogênio / ROHS


3 aplicações 

● Controle e acionamento do motor

● Carga/descarga para o sistema de gerenciamento de bateria

● retificador síncrono para SMPS

● Aplicativo automotivo


VDSS Rds (on) (Typ) EU IA
40V 4.0mΩ 66a


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