40 V/4,0 mΩ/66AN-MOSFET DSP060N04LA DFN5*6

MOSFET N da 40 V/4,0 mΩ/66 A

1 Descrizione 

Questi mosfet di potenza in modalità di potenziamento a canale N utilizzavano un design avanzato della tecnologia trench, fornivano un eccellente Rdson e una bassa carica di gate. Che è conforme allo standard RoHS. 

2 Caratteristiche 

● Bassa resistenza 

● Basse capacità di trasferimento inverso 

● Test energetico da valanga a impulso singolo al 100%. 

● Test ΔVDS al 100%. 

● Placcatura senza piombo/senza alogeni/conforme a RoHS

3 applicazioni 

● Controllo e azionamento del motore

● Carica/scarica per il sistema di gestione della batteria

● Raddrizzatore sincrono per SMPS

● Applicazione automobilistica

VDSS	RDS(acceso)(TIPO)	ID
40 V	4,0 mΩ	66A