gate
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Narito ka: Bahay » Mga produkto » MOSFET » 12V-300V N MOS » 40V/4.0mΩ/66AN-MOSFET DSP060N04LA DFN5*6

naglo-load

Ibahagi sa:
button sa pagbabahagi ng facebook
button sa pagbabahagi ng twitter
pindutan ng pagbabahagi ng linya
buton ng pagbabahagi ng wechat
button sa pagbabahagi ng linkedin
Pindutan ng pagbabahagi ng pinterest
pindutan ng pagbabahagi ng whatsapp
ibahagi ang button na ito sa pagbabahagi

40V/4.0mΩ/66AN-MOSFET DSP060N04LA DFN5*6

Ang mga N-channel enhancement mode power mosfets na ito ay gumamit ng advanced na disenyo ng teknolohiya ng trench, na nagbigay ng mahusay na Rdson at mababang gate charge. Alin ang naaayon sa pamantayan ng RoHS.
Availability:
Dami:

40V/4.0mΩ/66A N-MOSFET


1 Paglalarawan 

Ang mga N-channel enhancement mode power mosfets na ito ay gumamit ng advanced na disenyo ng teknolohiya ng trench, na nagbigay ng mahusay na Rdson at mababang gate charge. Alin ang naaayon sa pamantayan ng RoHS. 


2 Mga Tampok 

● Mababa ang resistensya 

● Mababang reverse transfer capacitances 

● 100% single pulse avalanche energy test 

● 100% ΔVDS test 

● Pb-Free plating / Halogen-Free / RoHS compliant


3 Aplikasyon 

● Motor Control at Drive

● Charge/Discharge para sa Battery Management System

● Synchronous Rectifier para sa SMPS

● Automotive Application


VDSS RDS(on)(TYP) ID
40V 4.0mΩ 66A


Nakaraan: 
Susunod: 
  • Mag-sign up para sa aming newsletter
  • maghanda para sa hinaharap
    na pag-sign up para sa aming newsletter upang makakuha ng mga update diretso sa iyong inbox