40V/4,0mΩ/66AN-MOSFET DSP060N04LA DFN5*6

40 V/4,0 mΩ/66 A N-MOSFET

1 Beschreibung 

Diese Leistungs-MOSFETs im N-Kanal-Anreicherungsmodus nutzten ein fortschrittliches Trench-Technologie-Design und sorgten für einen hervorragenden Rdson und eine niedrige Gate-Ladung. Was dem RoHS-Standard entspricht. 

2 Funktionen 

● Geringer Widerstand 

● Geringe Rückübertragungskapazitäten 

● 100 % Einzelimpuls-Lawinenenergietest 

● 100 % ΔVDS-Test 

● Pb-freie Beschichtung / Halogenfrei / RoHS-konform

3 Anwendungen 

● Motorsteuerung und Antrieb

● Laden/Entladen für Batteriemanagementsystem

● Synchrongleichrichter für SMPS

● Automobilanwendung

VDSS	RDS(ein)(TYP)	AUSWEIS
40V	4,0 mΩ	66A