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Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
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Mosfet

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7a 700V Modo de mejora del canal MOSFET D7N70 TO-252B D7N70 A 252b 700V 7A 英文版 D7N70 技术规格书 .pdf
Modo de mejora del canal N potencia MOSFET 10A 700V D10N70 TO-252B D10N70 A 252b 700V 10A 英文版 D10N70 技术规格书 Rev1.0.pdf
2A 650V Modo de mejora del canal MOSFET B2N65 B2N65 A 251b 650V 2a 英文版 b2n65 技术规格书 .pdf
4A 600V N-Canal Modo de mejora de potencia MOSFET B4N60 B4N60 A 251b 600V 4A 英文版 b4n60 技术规格书 .pdf
 Modo de mejora del canal N potencia MOSFET 4A 800V B4N80 TO-251B B4N80 A 251b 800V 4A 英文版 b4n80 技术规格书 .pdf
5A 650V Modo de mejora del canal MOSFET B5N65 a 251B B5N65 A 251b 650V 5A 英文版 b5n65 技术规格书 max.pdf
Modo de mejora del canal de N 50A 200V MOSFET F50N20 F50N20 A 220F 200V 50A Dispositivo F50N20 Especificación (1) .pdf
 Modo de mejora del canal N potencia MOSFET 5A 650V 5N65C TO-220C 5n65c A 220c 650V 5A 英文版 5N65C 技术规格书 .pdf
8A 650V N-Canal Modo de mejora de la potencia MOSFET F8N65 TO-220F F8n65 A 220F 650V 8A F8n65 技术规格书 .pdf
 Modo de mejora del canal N potencia MOSFET 7A 700V B7N70 TO-251B B7N70 A 251b 700V 7A 英文版 b7n70 技术规格书 .pdf
Modo de mejora del canal N Potencia MOSFET 13A 500V E13N50 TO-263 E13N50 A 263 500V 13A 英文版 E13N50 技术规格书 .pdf
180A 60V Modo de mejora del canal MOSFET DHS015N06 TO-220C DHS015N06 A 220c 60V 180A Donghai+DHS015N06 y DHS015N06E+Hoja de datos+Rev.1.0.pdf
Modo de mejora del canal N potencia MOSFET 180A 60V DHS015N06E TO-263 DHS015N06E A 263 60V 180A Donghai+DHS015N06 y DHS015N06E+Hoja de datos+Rev.1.0.pdf
Modo de mejora del canal N potencia MOSFET 5A 650V D5N65-XAD TO-252B D5n65-xad A 252b 650V 5A 英文版 d5n65-xad 技术规格书 .pdf
13A 100V Modo de mejora del canal P potencia MOSFET18P10D TO 252B 18p10d A 252b -100V -13a Dispositivo 18P10 Especificación.PDF
Modo de mejora del canal N 100a 30V MOSFET 30H10/30H10F/30H10E/30H10B/30H10K 30H10/30H10F/30H10E/30H10B/30H10K
18A 200V N-canal Modo de mejora de potencia MOSFET D18N20 TO-252B D18N20 A 252b 200V 18A Dispositivo D18N20 Especificación Rev.1.0.pdf
9A 200V Modo de mejora del canal MOSFET D630 TO-252B D630 A 252b 200V 9A Dispositivo 630 Especificación.pdf
120A 98V Modo de mejora del canal MOSFET DH90N045R TO-220C DH90N045R A 220c 98V 120a Dispositivo DH90N045RSM2 Especificación.PDF
Modo de mejora del canal P Potencia MOSFET 40A 100V DH100P40D TO 252B DH100P40D A 252b -100V -40a Dispositivo DH100P40D Especificación.PDF

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