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Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd.
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MOSFET

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MOSFET de potencia de modo de mejora de canal P de 18A 100V DH100P18B TO-251B DH100P18B TO-251B 100V 18A Dispositivo DH100P18 B79 Especificación.pdf
MOSFET de potencia del modo de mejora del canal N de 90A 150V DHS110N15 TO-220C DHS110N15 TO-220C 150V 90A Dispositivo DHS110N15 Especificación Rev.1.0.pdf
MOSFET de potencia del modo de mejora del canal P de 25A 100V DH100P25D TO-252B DH100P25D TO-252B -100V -25A Especificación del dispositivo DH100P25.pdf
DSG041N08NA TO-220C DSG041N08NA TO-220C 85V 180A Dispositivo+DSG041N08NA+Especificación+Rev.1.0.pdf
MOSFET de potencia del modo de mejora del canal N de 120A 40V DHS021N04D TO-252B DHS021N04D TO-252B 40V 120A Donghai+DHS021N04D+Hoja de datos+V3.0.pdf
MOSFET de potencia D25N10 TO-252B del modo de mejora del canal N de 25A 100V D25N10 TO-252B 100V 25A Especificación del dispositivo 25N10.pdf
85V/0.9mΩ/360A N-MOSFET DSU011N08N3A PEAJE DSU011N08N3A PEAJE 85V 360A DSU011N08N3A_Datasheet_V1.0.pdf
200V/11mΩ/110A N-MOSFET DSE108N20NA TO-263 DSE108N20NA A-263 200V 110A DSE108N20NA_Datasheet_V1.0.pdf
MOSFET de potencia de modo de mejora de canal P de 20A 60V DH9Z24 TO-220C DH9Z24 TO-220C 60V 20A Dispositivo DH9Z24B1R Especificación Rev.1.0.pdf
Paquete de PEAJE DSU024N10N3A DSU024N10N3A PEAJE 100V 272A DSU024N10N3A_Datasheet_V1.0.pdf
MOSFET de potencia de modo de mejora de canal N de 105A 40V DH025N04P DFN5X6 DH025N04P DFN5*6-8 40V 130A Especificación del dispositivo DH025N04.pdf
MOSFET de potencia del modo de mejora del canal N de 50A 120V DH150N12 TO-220C DH150N12 TO-220C 120V 50A Especificación del dispositivo DH150N12.pdf
MOSFET de potencia del modo de mejora del canal N de 50A 150V DH50N15 TO-220C DH50N15 TO-220C 150V 50A Especificación del dispositivo DH50N15.pdf
Paquete de PEAJE MOSFET DH012N03U de potencia de modo de mejora de canal N de 235A y 30 V DH012N03U PEAJE 30V 235A Dispositivo+DH012N03U+Especificación+V2.0.pdf
MOSFET de potencia del modo de mejora del canal N de 60A 68V DH50N06 TO-220C DH50N06 TO-220C 68V 60A Especificación del dispositivo DH50N06FZC.pdf
MOSFET de potencia 9N90 TO-3PN del modo de mejora del canal N de 9A 900V 9N90 A-3PN 900V 9A 英文版9N90 3PN技术规格书.pdf
80V/3.4mΩ/100A N-MOSFET DSP037N08N3 DFN5X6 DSP037N08N3 DFN5*6-8 80V 100A DSP037N08N3_Datasheet_V1.0.pdf
DSE022N10N3 TO-263 DSE022N10N3
MOSFET de potencia del modo de mejora del canal N de 170A 85V DSP032N08NA DFN5X6 DSP032N08NA DFN5X6 85V 170A DSP032N08NA_Datasheet_V1.0.pdf
100V/1.7mΩ/240A N-MOSFET DSG024N10N3 TO-220C DSG024N10N3 TO-220C 100V 240A DSG024N10N3 y DSE022N10N3_Datasheet_V1.0.pdf

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