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200V/11MΩ/110A N-MOSFET DSE108N20NA TO-263

Estos Mosfets de potencia de potencia de modo de mejora del canal N utilizaron un diseño de tecnología de trinchera de compuerta de espíritu avanzada, proporcionó una excelente carga de Rdson y baja puerta. Que concuerda con el estándar ROHS.
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200V/11MΩ/110A N-MOSFET


1 descripción 

Estos Mosfets de potencia de potencia de modo de mejora del canal N utilizaron un diseño de tecnología de trinchera de compuerta de espíritu avanzada, proporcionó una excelente carga de Rdson y baja puerta. Que concuerda con el estándar ROHS. 


2 características

● AEC-Q101 calificado

● Bajo en resistencia

● Capacitancias de transferencia inversa bajas

● Prueba de energía de avalancha de pulso 100% 100% 

● Prueba de 100% ΔVDS 

• Capazante sin PB / sin halógeno / ROHS


3 aplicaciones 

● Aplicaciones de conmutación de encendido  

● Convertidores DC-DC

● Control completo del puente




VDSS RDS (ON) (typ) IDENTIFICACIÓN
200V 11mΩ 110A


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