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200V/11mΩ/110A N-MOSFET DSE108N20NA TO-263

Estos mosfets de potencia en modo de mejora de canal N utilizaron un diseño avanzado de tecnología de zanja de puerta dividida, proporcionaron un Rdson excelente y una carga de puerta baja. Lo cual cumple con el estándar RoHS.
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200V/11mΩ/110A N-MOSFET


1 Descripción 

Estos mosfets de potencia en modo de mejora de canal N utilizaron un diseño avanzado de tecnología de zanja de puerta dividida, proporcionaron un Rdson excelente y una carga de puerta baja. Lo cual cumple con el estándar RoHS. 


2 características

● Calificación AEC-Q101

● Baja resistencia

● Bajas capacitancias de transferencia inversa.

● Prueba de energía de avalancha de pulso único al 100% 

● Prueba 100% ΔVDS 

• Revestimiento libre de Pb/libre de halógenos/cumple con RoHS


3 aplicaciones 

● Aplicaciones de conmutación de energía  

● Convertidores CC-CC

● Control total del puente




VDSS RDS (activado) (TIPO) IDENTIFICACIÓN
200V 11mΩ 110A


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