200V/11mΩ/110A N-MOSFET DSE108N20NA TO-263

200V/11mΩ/110A N-MOSFET

1 Descripción 

Estos mosfets de potencia en modo de mejora de canal N utilizaron un diseño avanzado de tecnología de zanja de puerta dividida, proporcionaron un Rdson excelente y una carga de puerta baja. Lo cual cumple con el estándar RoHS. 

2 características

● Calificación AEC-Q101

● Baja resistencia

● Bajas capacitancias de transferencia inversa.

● Prueba de ener 

● Prueba 100% ΔVDS 

• Revestimiento libre de Pb/libre de halógenos/cumple con RoHS

3 aplicaciones 

● Aplicaciones de conmutación de energía  

● Convertidores CC-CC

● Control total del puente

VDSS	RDS (activado) (TIPO)	IDENTIFICACIÓN
200V	11mΩ	110A