未命名(1)(8) (1)
hek
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
U bevindt zich hier: Thuis » Producten » MOSFET » 12V-300V N-MOS » 200V/11mΩ/110A N-MOSFET DSE108N20NA TO-263

laden

Deel met:
knop voor delen op Facebook
Twitter-deelknop
knop voor lijn delen
knop voor het delen van wechat
linkedin deelknop
knop voor het delen van Pinterest
WhatsApp-knop voor delen
deel deze deelknop

200V/11mΩ/110A N-MOSFET DSE108N20NA TO-263

Deze N-kanaals vermogens-mosfets met verbeterde modus maakten gebruik van een geavanceerd splite-gate-geultechnologieontwerp, wat uitstekende Rdson en lage poortlading opleverde. Welke in overeenstemming is met de RoHS-norm.
Beschikbaarheid:
Aantal:
Informeer Voeg toe aan winkelwagen

200V/11mΩ/110A N-MOSFET


1 Beschrijving 

Deze N-kanaals vermogens-mosfets met verbeterde modus maakten gebruik van een geavanceerd splite-gate-geultechnologieontwerp, wat uitstekende Rdson en lage poortlading opleverde. Welke in overeenstemming is met de RoHS-norm. 


2 Kenmerken

● AEC-Q101 gekwalificeerd

● Weinig weerstand

● Lage omgekeerde overdrachtcapaciteiten

● 100% lawine-energietest met enkele puls 

● 100% AVDS-test 

• Pb-vrije coating / halogeenvrij / RoHS-compatibel


3 toepassingen 

● Stroomschakeltoepassingen  

● DC-DC-converters

● Volledige brugcontrole




VDSS RDS(aan)(TYP) Identiteitskaart
200V 11 mΩ 110A


Vorig: 
Volgende: 
MOSFET
  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Schrijf u in voor onze nieuwsbrief
  • bereid u voor op de toekomst.
    Meld u aan voor onze nieuwsbrief om updates rechtstreeks in uw inbox te ontvangen
    Indienen
Copyright © 2023Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Technologie door leadong.com