200V/11mΩ/110A N-MOSFET DSE108N20NA TO-263

200V / 11mΩ / 110A N-MOSFET

1 ការពិពណ៌នា 

Mosfets នៃមុខងារពង្រឹង N-channel ទាំងនេះបានប្រើការរចនាបច្ចេកវិជ្ជា splite gate trench កម្រិតខ្ពស់ ដែលផ្តល់នូវ Rdson ដ៏ល្អឥតខ្ចោះ និងការបញ្ចូលថ្មទាប។ ដែលអនុលោមតាមស្តង់ដារ RoHS ។ 

2 លក្ខណៈពិសេស

● AEC-Q101 មានលក្ខណៈសម្បត្តិគ្រប់គ្រាន់

● ធន់ទ្រាំទាប

● សមត្ថភាពផ្ទេរបញ្ច្រាសទាប

● 100% ការធ្វើតេស្តថាមពល avalanche ជីពចរតែមួយ 

● 100% ΔVDS ការធ្វើតេស្ត 

• អនុលោមតាម Pb-Free / Halogen-Free / RoHS

3 កម្មវិធី 

● កម្មវិធីប្តូរថាមពល  

● ឧបករណ៍បំលែង DC-DC

● ការគ្រប់គ្រងស្ពានពេញលេញ

វីឌីអេសអេស	RDS(បើក)(TYP)	លេខសម្គាល់
200V	11mΩ	110A