200V/11mΩ/110A N-MOSFET DSE108N20NA TO-263

200V/11mΩ/110A N-MOSFET

1 Descrição 

Esses mosfets de potência no modo de aprimoramento de canal N usaram design avançado de tecnologia de trincheira splite gate, proporcionando excelente Rdson e baixa carga de portão. O que está de acordo com o padrão RoHS. 

2 recursos

● Qualificação AEC-Q101

● Baixa resistência

● Baixas capacitâncias de transferência reversa

● Teste de energia de avalanche de pulso único de 100% 

● Teste ΔVDS 100% 

• Revestimento sem Pb/sem halogênio/em conformidade com RoHS

3 aplicações 

● Aplicações de comutação de energia  

● Conversores DC-DC

● Controle total da ponte

VDSS	RDS(ligado)(TYP)	EU IA
200 V	11mΩ	110A