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200V/11MΩ/110A N-MOSFET DSE108N20NA TO-263

Esses MOSFETs de energia de aprimoramento de canal N usavam o design avançado da tecnologia de valas de portão de divisão, forneceram excelente rdson e baixa carga do portão. Que de acordo com o padrão ROHS.
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200V/11MΩ/110A N-MOSFET


1 Descrição 

Esses MOSFETs de energia de aprimoramento de canal N usavam o design avançado da tecnologia de valas de portão de divisão, forneceram excelente rdson e baixa carga do portão. Que de acordo com o padrão ROHS. 


2 recursos

● AEC-Q101 Qualificado

● baixa resistência

● Capacitâncias de transferência reversa baixa

● Teste de energia de avalanche de pulso 100% único 

● Teste 100% ΔVDS 

• Compatível de revestimento sem Pb / sem halogênio / ROHS


3 aplicações 

● Aplicativos de comutação de energia  

● Conversores DC-DC

● Controle completo da ponte




VDSS Rds (on) (Typ) EU IA
200V 11mΩ 110a


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