未命名 (1) (8) (1)
kapija
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Nalazite se ovdje: Dom » Proizvodi » MOSFET » 12V-300V N MOS » 200V/11mΩ/110A N-MOSFET DSE108N20NA TO-263

učitavanje

Podijeli na:
facebook gumb za dijeljenje
gumb za dijeljenje na twitteru
gumb za dijeljenje linije
wechat gumb za dijeljenje
linkedin gumb za dijeljenje
pinterest gumb za dijeljenje
gumb za dijeljenje WhatsAppa
podijeli ovaj gumb za dijeljenje

200V/11mΩ/110A N-MOSFET DSE108N20NA TO-263

Ovi moćni mosfeti s N-kanalnim načinom poboljšanja koristili su napredni dizajn tehnologije split gate trench, dajući odličan Rdson i niski naboj vrata. Što je u skladu s RoHS standardom.
Dostupnost:
Količina:
Raspitajte se Dodaj u košaricu

200V/11mΩ/110A N-MOSFET


1 Opis 

Ovi moćni mosfeti s N-kanalnim načinom poboljšanja koristili su napredni dizajn tehnologije split gate trench, dajući odličan Rdson i niski naboj vrata. Što je u skladu s RoHS standardom. 


2 Značajke

● Kvalificirano za AEC-Q101

● Nizak otpor

● Niski kapaciteti povratnog prijenosa

● 100% ispitivanje energije lavine jednog pulsa 

● 100% ΔVDS test 

• Pokrivanje bez Pb / bez halogena / Sukladno RoHS


3 Prijave 

● Aplikacije za prebacivanje napajanja  

● DC-DC pretvarači

● Potpuna kontrola mosta




VDSS RDS(uključen)(TYP) ID
200V 11 mΩ 110A


Prethodna: 
Sljedeći: 
MOSFET
  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Prijavite se za naš newsletter
  • pripremite se za budućnost,
    prijavite se za naš bilten kako biste primali ažuriranja izravno u svoju pristiglu poštu
    Pošalji
Autorsko pravo © 2023​​​​​​ Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Technology by leadong.com