200V/11mΩ/110A N-MOSFET DSE108N20NA TO-263

200V/11mΩ/110A N-MOSFET

1 ဖော်ပြချက် 

ဤ N-channel မြှင့်တင်မှုမုဒ်ပါဝါ mosfets များသည် အလွန်ကောင်းမွန်သော Rdson နှင့် low gate charge ကိုပေးစွမ်းသော အဆင့်မြင့် splite gate trench နည်းပညာကို အသုံးပြုထားသည်။ RoHS စံနှုန်းနဲ့ ကိုက်ညီပါတယ်။ 

အင်္ဂါရပ် ၂ ခု

● AEC-Q101 အရည်အချင်းပြည့်မီခြင်း။

● ခုခံမှုနည်းသည်။

● နိမ့်သောပြောင်းပြန်လွှဲပြောင်းစွမ်းရည်

● 100% single pulse avalanche စွမ်းအင်စမ်းသပ်မှု 

● 100% ΔVDS စမ်းသပ်မှု 

• Pb-Free အဖြစ်လည်းကောင်း၊ Halogen-Free/ RoHS နှင့် ကိုက်ညီသည်။

3 လျှောက်လွှာများ 

● ပါဝါပြောင်းခြင်း အပလီကေးရှင်းများ  

● DC-DC ပြောင်းစက်များ

● တံတားထိန်းချုပ်မှုအပြည့်

VDSS	RDS(ဖွင့်)(TYP)	အမှတ်သညာ
200V	11mΩ	110A