200V/11mΩ/110A N-MOSFET DSE108N20NA TO-263

200V/11mΩ/110A N-MOSFET

1 Περιγραφή 

Αυτά τα power mosfet λειτουργίας βελτίωσης N καναλιών χρησιμοποιούσαν προηγμένη σχεδίαση τεχνολογίας splite gate trench, παρέχοντας εξαιρετικό Rdson και χαμηλή φόρτιση πύλης. Το οποίο συμφωνεί με το πρότυπο RoHS. 

2 Χαρακτηριστικά

● Πιστοποιημένο AEC-Q101

● Χαμηλή αντίσταση

● Χαμηλές χωρητικότητες ανάστροφης μεταφοράς

● Δοκιμή ενέργειας χιονοστιβάδας 100% ενός παλμού 

● Δοκιμή ΔVDS 100%. 

• Επιμετάλλωση χωρίς Pb / Χωρίς αλογόνο / Συμβατό με RoHS

3 Εφαρμογές 

● Εφαρμογές μεταγωγής ισχύος  

● Μετατροπείς DC-DC

● Πλήρης έλεγχος γέφυρας

VDSS	RDS(ενεργό)(TYP)	ταυτότητα
200V	11mΩ	110Α