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200 V/11 mΩ/110 A N-MOSFET DSE108N20NA TO-263

Diese Leistungs-MOSFETs im N-Kanal-Anreicherungsmodus verwenden ein fortschrittliches Split-Gate-Trench-Technologie-Design und bieten einen hervorragenden Rdson und eine niedrige Gate-Ladung. Was dem RoHS-Standard entspricht.
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200 V/11 mΩ/110 A N-MOSFET


1 Beschreibung 

Diese Leistungs-MOSFETs im N-Kanal-Anreicherungsmodus verwenden ein fortschrittliches Split-Gate-Trench-Technologie-Design und bieten einen hervorragenden Rdson und eine niedrige Gate-Ladung. Was dem RoHS-Standard entspricht. 


2 Funktionen

● AEC-Q101-qualifiziert

● Geringer Widerstand

● Geringe Rückübertragungskapazitäten

● 100 % Einzelimpuls-Lawinenenergietest 

● 100 % ΔVDS-Test 

• Bleifreie Beschichtung / Halogenfrei / RoHS-konform


3 Anwendungen 

● Leistungsschaltanwendungen  

● DC-DC-Wandler

● Vollständige Brückenkontrolle




VDSS RDS(ein)(TYP) AUSWEIS
200V 11mΩ 110A


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