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DSU024N10N3A
Wxdh
DSU024N10N3A
PEAJE
100V
272a
100V/1.8MΩ/272A N-MOSFET
1 descripción
Este modo de mejora del canal N, MOSFET, MOSFET utiliza la tecnología avanzada de zanja de puerta dividida, que proporciona una excelente carga de RDSON y baja puerta al mismo tiempo. Que concuerda con el estándar ROHS.
2 características
AEC-Q101 calificado
● Bajo en resistencia
● Capacitancias de transferencia inversa bajas
● Prueba de energía de avalancha de pulso 100% 100%
● Prueba de 100% ΔVDS
Capazante sin PB/halógeno/ROHS
3 aplicaciones
● Aplicaciones de conmutación de encendido
● Convertidores DC-DC
● Control completo del puente
Aplicaciones automotrices
VDSS | RDS (ON) (typ) | IDENTIFICACIÓN |
100V | 1.8 MΩ | 272a |
100V/1.8MΩ/272A N-MOSFET
1 descripción
Este modo de mejora del canal N, MOSFET, MOSFET utiliza la tecnología avanzada de zanja de puerta dividida, que proporciona una excelente carga de RDSON y baja puerta al mismo tiempo. Que concuerda con el estándar ROHS.
2 características
AEC-Q101 calificado
● Bajo en resistencia
● Capacitancias de transferencia inversa bajas
● Prueba de energía de avalancha de pulso 100% 100%
● Prueba de 100% ΔVDS
Capazante sin PB/halógeno/ROHS
3 aplicaciones
● Aplicaciones de conmutación de encendido
● Convertidores DC-DC
● Control completo del puente
Aplicaciones automotrices
VDSS | RDS (ON) (typ) | IDENTIFICACIÓN |
100V | 1.8 MΩ | 272a |