gerbang
Jiangsu Donghai Semikonduktor Co, Ltd
Anda di sini: Rumah » Produk » MOSFET » 12V-300V N MOS » Paket TOL N-MOSFET DSU024N10N3A 100V/1,8mΩ/272A

memuat

Bagikan ke:
tombol berbagi facebook
tombol berbagi twitter
tombol berbagi baris
tombol berbagi WeChat
tombol berbagi tertaut
tombol berbagi pinterest
tombol berbagi whatsapp
bagikan tombol berbagi ini

Paket TOL N-MOSFET DSU024N10N3A 100V/1,8mΩ/272A

MOSFET daya mode peningkatan saluran-N ini menggunakan desain teknologi parit gerbang terpisah yang canggih, memberikan Rdson yang sangat baik dan muatan gerbang yang rendah. Yang sesuai dengan standar RoHS.
Ketersediaan:
Kuantitas:

100V/1,8mΩ/272A N-MOSFET


1 Deskripsi 

MOSFET daya mode peningkatan saluran-N ini menggunakan teknologi Split Gate Trench yang canggih, yang memberikan Rdson yang sangat baik dan muatan Gerbang yang rendah pada saat yang bersamaan. Yang sesuai dengan standar RoHS. 


2 Fitur

  • Memenuhi syarat AEC-Q101

● Resistensinya rendah 

● Kapasitansi transfer balik yang rendah 

● 100% uji energi longsoran pulsa tunggal

● Tes ΔVDS 100%. 

  • Pelapisan bebas Pb/bebas Halogen/memenuhi standar RoHs

3 Aplikasi 

● Aplikasi peralihan daya

● Konverter DC-DC

● Kontrol jembatan penuh

  • Aplikasi otomotif


VDSS RDS(aktif)(TYP) PENGENAL
100V 1,8 mΩ 272A


Sebelumnya: 
Berikutnya: 
  • Mendaftarlah untuk buletin kami
  • bersiaplah untuk masa depan,
    daftarlah ke buletin kami untuk mendapatkan pembaruan langsung ke kotak masuk Anda