πύλη
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Είστε εδώ: Σπίτι » Προϊόντα » Μοσχάρι » 12V-300V N MOS » 100V/1.8MΩ/272A N-MOSFET DSU024N10N3A TOLL PACKET

φόρτωση

Μοιραστείτε:
κουμπί κοινής χρήσης στο Facebook
κουμπί κοινής χρήσης Twitter
κουμπί κοινής χρήσης γραμμής
κουμπί κοινής χρήσης WeChat
κουμπί κοινής χρήσης LinkedIn
κουμπί κοινής χρήσης Pinterest
κουμπί κοινής χρήσης WhatsApp
Κουμπί κοινής χρήσης Sharethis

100V/1,8MΩ/272A N-MOSFET DSU024N10N3A TOLL PACKING

Αυτές οι λειτουργίες βελτίωσης N-Channel Power Mosfets χρησιμοποίησαν προηγμένη τεχνολογία τεχνολογίας Trench Splite Gate, παρείχαν εξαιρετική φόρτιση RDSON και χαμηλής πύλης. Η οποία συμφωνεί με το πρότυπο ROHS.
Διαθεσιμότητα:
Ποσότητα:
  • DSU024N10N3A

  • WXDH

  • DSU024N10N3A

  • ΔΙΟΔΙΑ

  • Donghai_dsu024n10n3a_datasheet_v1.0.pdf

  • 100V

  • 272α

100V/1,8MΩ/272A N-MOSFET


1 περιγραφή 

Αυτή η λειτουργία βελτίωσης N-Channel Power MOSFET χρησιμοποιεί την προηγμένη τεχνολογία Trench Split Gate, η οποία παρέχει ταυτόχρονα εξαιρετική φόρτιση RDSON και χαμηλής πύλης. Η οποία συμφωνεί με το πρότυπο ROHS. 


2 χαρακτηριστικά

  • AEC-Q101 εξειδικευμένο

● Χαμηλή αντίσταση 

● Χαμηλές ικανότητες μεταφοράς αντίστροφης μεταφοράς 

● Δοκιμή ενεργειακής δοκιμής 100% μονής παλμού Avalanche

● δοκιμή 100% ΔVDS 

  • ΠΟΛΙΤΙΚΗ ΠΟΛΙΤΙΚΗ/ΕΛΕΥΘΕΡΗ

3 αιτήσεις 

● Εφαρμογές μεταγωγής τροφοδοσίας

● Μετατροπείς DC-DC

● πλήρης έλεγχος γέφυρας

  • Εφαρμογές αυτοκινήτων


VDSS RDS (ON) (τύπος) ταυτότητα
100V 1.8 MΩ 272α


Προηγούμενος: 
Επόμενος: 
  • Εγγραφείτε στο ενημερωτικό δελτίο μας
  • Ετοιμαστείτε για το μέλλον
    εγγραφείτε για το ενημερωτικό δελτίο μας για να λάβετε ενημερώσεις κατευθείαν στα εισερχόμενά σας