πύλη
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Είστε εδώ: Σπίτι » Προϊόντα » MOSFET » 12V-300V N MOS » 100V/1,8mΩ/272A N-MOSFET DSU024N10N3A Πακέτο Διοδίων

φόρτωση

Κοινοποίηση σε:
κουμπί κοινής χρήσης facebook
κουμπί κοινής χρήσης twitter
κουμπί κοινής χρήσης γραμμής
κουμπί κοινής χρήσης wechat
κουμπί κοινής χρήσης linkedin
κουμπί κοινής χρήσης pinterest
κουμπί κοινής χρήσης whatsapp
κοινοποιήστε αυτό το κουμπί κοινής χρήσης

100V/1,8mΩ/272A N-MOSFET DSU024N10N3A Πακέτο Διοδίων

Αυτά τα power mosfet λειτουργίας βελτίωσης N καναλιών χρησιμοποιούσαν προηγμένη σχεδίαση τεχνολογίας splite gate trench, παρέχοντας εξαιρετικό Rdson και χαμηλή φόρτιση πύλης. Το οποίο συμφωνεί με το πρότυπο RoHS.
Διαθεσιμότητα:
Ποσότητα:
  • DSU024N10N3A

  • WXDH

  • DSU024N10N3A

  • ΔΙΟΔΙΑ

  • Donghai_DSU024N10N3A_Datasheet_V1.0.pdf

  • 100V

  • 272Α

100V/1,8mΩ/272A N-MOSFET


1 Περιγραφή 

Αυτό το τροφοδοτικό MOSFET λειτουργίας βελτίωσης N καναλιών χρησιμοποιεί προηγμένη τεχνολογία Split Gate Trench, η οποία παρέχει εξαιρετική φόρτιση Rdson και χαμηλή φόρτιση Gate ταυτόχρονα. Το οποίο συμφωνεί με το πρότυπο RoHS. 


2 Χαρακτηριστικά

  • Πιστοποιημένο AEC-Q101

● Χαμηλή αντίσταση 

● Χαμηλές χωρητικότητες ανάστροφης μεταφοράς 

● Δοκιμή ενέργειας χιονοστιβάδας 100% ενός παλμού

● Δοκιμή ΔVDS 100%. 

  • Συμβατό με επιμετάλλωση χωρίς Pb/χωρίς αλογόνο/RoHs

3 Εφαρμογές 

● Εφαρμογές μεταγωγής ισχύος

● Μετατροπείς DC-DC

● Πλήρης έλεγχος γέφυρας

  • Εφαρμογές αυτοκινήτου


VDSS RDS(ενεργό)(TYP) ταυτότητα
100V 1,8 mΩ 272Α


Προηγούμενος: 
Επόμενος: 
  • Εγγραφείτε για το ενημερωτικό μας δελτίο
  • ετοιμαστείτε για το μέλλον
    εγγραφείτε στο ενημερωτικό μας δελτίο για να λαμβάνετε ενημερώσεις κατευθείαν στα εισερχόμενά σας