Διαθεσιμότητα: | |
---|---|
Ποσότητα: | |
DSU024N10N3A
WXDH
DSU024N10N3A
ΔΙΟΔΙΑ
100V
272α
100V/1,8MΩ/272A N-MOSFET
1 περιγραφή
Αυτή η λειτουργία βελτίωσης N-Channel Power MOSFET χρησιμοποιεί την προηγμένη τεχνολογία Trench Split Gate, η οποία παρέχει ταυτόχρονα εξαιρετική φόρτιση RDSON και χαμηλής πύλης. Η οποία συμφωνεί με το πρότυπο ROHS.
2 χαρακτηριστικά
AEC-Q101 εξειδικευμένο
● Χαμηλή αντίσταση
● Χαμηλές ικανότητες μεταφοράς αντίστροφης μεταφοράς
● Δοκιμή ενεργειακής δοκιμής 100% μονής παλμού Avalanche
● δοκιμή 100% ΔVDS
ΠΟΛΙΤΙΚΗ ΠΟΛΙΤΙΚΗ/ΕΛΕΥΘΕΡΗ
3 αιτήσεις
● Εφαρμογές μεταγωγής τροφοδοσίας
● Μετατροπείς DC-DC
● πλήρης έλεγχος γέφυρας
Εφαρμογές αυτοκινήτων
VDSS | RDS (ON) (τύπος) | ταυτότητα |
100V | 1.8 MΩ | 272α |
100V/1,8MΩ/272A N-MOSFET
1 περιγραφή
Αυτή η λειτουργία βελτίωσης N-Channel Power MOSFET χρησιμοποιεί την προηγμένη τεχνολογία Trench Split Gate, η οποία παρέχει ταυτόχρονα εξαιρετική φόρτιση RDSON και χαμηλής πύλης. Η οποία συμφωνεί με το πρότυπο ROHS.
2 χαρακτηριστικά
AEC-Q101 εξειδικευμένο
● Χαμηλή αντίσταση
● Χαμηλές ικανότητες μεταφοράς αντίστροφης μεταφοράς
● Δοκιμή ενεργειακής δοκιμής 100% μονής παλμού Avalanche
● δοκιμή 100% ΔVDS
ΠΟΛΙΤΙΚΗ ΠΟΛΙΤΙΚΗ/ΕΛΕΥΘΕΡΗ
3 αιτήσεις
● Εφαρμογές μεταγωγής τροφοδοσίας
● Μετατροπείς DC-DC
● πλήρης έλεγχος γέφυρας
Εφαρμογές αυτοκινήτων
VDSS | RDS (ON) (τύπος) | ταυτότητα |
100V | 1.8 MΩ | 272α |