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100 V/1,8 mΩ/272 A N-MOSFET DSU024N10N3A TOLL-Paket

Diese Leistungs-MOSFETs im N-Kanal-Anreicherungsmodus verwenden ein fortschrittliches Split-Gate-Trench-Technologie-Design und bieten einen hervorragenden Rdson und eine niedrige Gate-Ladung. Was dem RoHS-Standard entspricht.
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100 V/1,8 mΩ/272 A N-MOSFET


1 Beschreibung 

Dieser N-Kanal-Leistungs-MOSFET mit Anreicherungsmodus nutzt die fortschrittliche Split-Gate-Trench-Technologie, die gleichzeitig einen hervorragenden Rdson und eine niedrige Gate-Ladung bietet. Was dem RoHS-Standard entspricht. 


2 Funktionen

  • AEC-Q101-qualifiziert

● Geringer Widerstand 

● Geringe Rückübertragungskapazitäten 

● 100 % Einzelimpuls-Lawinenenergietest

● 100 % ΔVDS-Test 

  • Bleifreie Beschichtung/Halogenfrei/RoHs-konform

3 Anwendungen 

● Leistungsschaltanwendungen

● DC-DC-Wandler

● Vollständige Brückenkontrolle

  • Automotive-Anwendungen


VDSS RDS(ein)(TYP) AUSWEIS
100V 1,8 mΩ 272A


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