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Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
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Paquet TOLL N-MOSFET DSU024N10N3A 100 V/1,8 mΩ/272 A

Ces mosfets de puissance en mode d'amélioration du canal N utilisaient une conception avancée de technologie de tranchée à grille divisée, offrant un excellent Rdson et une faible charge de grille. Ce qui est conforme à la norme RoHS.
Disponibilité :
Quantité :

100 V/1,8 mΩ/272 A N-MOSFET


1 Descriptif 

Ce MOSFET de puissance en mode d'amélioration à canal N utilise la technologie avancée Split Gate Trench, qui fournit à la fois un excellent Rdson et une faible charge de grille. Ce qui est conforme à la norme RoHS. 


2 Caractéristiques

  • Qualifié AEC-Q101

● Faible résistance 

● Faibles capacités de transfert inverse 

● Test d'énergie d'avalanche à impulsion unique à 100 %

● Test 100 % ΔVDS 

  • Placage sans plomb/sans halogène/conforme RoHs

3 candidatures 

● Applications de commutation de puissance

● Convertisseurs DC-DC

● Contrôle complet du pont

  • Applications automobiles


VDSS RDS (activé) (TYP) IDENTIFIANT
100V 1,8 mΩ 272A


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