100V/1.8mΩ/272A N-MOSFET
1 Leírás
Ez az N-csatornás teljesítménynövelő üzemmódú MOSFET fejlett Split Gate Trench technológiát használ, amely kiváló Rdson-t és alacsony kaputöltést biztosít egyszerre. Ami megfelel a RoHS szabványnak.
2 Jellemzők
● Alacsony ellenállás
● Alacsony fordított átviteli kapacitás
● 100%-os egyimpulzusos lavina energiateszt
● 100% ΔVDS teszt
3 Alkalmazások
● Tápkapcsoló alkalmazások
● DC-DC átalakítók
● Teljes hídvezérlés
| VDSS |
RDS(be)(TYP) |
ID |
| 100V |
1,8 mΩ |
272A |